1200 V/8-120 A TRENCHSTOP™ IGBT7 S7およびEC7ダイオードをTO-247パッケージに搭載した、ハードスイッチング用のディスクリート IGBT です。低 VCEsatを実現することで、対象アプリケーションにおいて非常に低い導通損失を実現しています。また、非常にソフトで高速なエミッタ制御ダイオードを内蔵することで、スイッチング損失を最小限に抑え、全体としても低損失を実現しています。

1200 V/50 Aのハードスイッチング向けのTRENCHSTOP™ IGBT7 H7をTO-247 4ピンパッケージに搭載した本ディスクリート製品は、太陽光発電、無停電電源装置、バッテリー充電器など、脱炭素化を重視したアプリケーションの要求を満たす用開発されています。

X3 Compact (1ED31xx) ファミリーは、ミラークランプ機能などのオプションを備えた小型で使いやすい絶縁型ゲートドライバー ファミリーです。
最近リリースされたゲートドライバーファミリーに、DSO-8 150 milナローボディパッケージオプション (1ED314x) が加わりました。

インフィニオンのCoolGaN™ GIT HEMTは、600Vまでの電圧範囲における電力変換用の高効率GaN (窒化ガリウム) トランジスター技術です。
半導体市場で豊富な経験を持つインフィニオンのGaN技術は、大量生産によるエンドツーエンドの生産で、e-modeコンセプトを成熟させています。市場において品質をリードするCoolGaN™ GIT HEMTは、最高水準を保証し、市場にあるすべてのGaN HEMTの中で最も信頼性が高く、性能の高いソリューションを提供します。

CoolSiC™ M1H MOSFETを搭載したEasyPACK™ 1Bブースターモジュールは、1200 Vのソーラーアプリケーションに最適で、PressFit PINおよびNTCを搭載しています。

インフィニオン最新の上面冷却 (TOLT) パッケージは、優れた熱性能を実現するTOリードの上面冷却パッケージで、OptiMOS™5 60 V (IPTC007N06NM5 およびIPTC0012N06NM5）にも採用されました。この革新的なパッケージとOptiMOS™ 5テクノロジーの主な機能を組み合わせ、高電力密度設計向けにクラス最高レベルの60 Vならびに400 A超の高い電流定格を実現した製品になっています。

インフィニオンのOptiMOS™ 6 120 VパワーMOSFETは、前世代に比べて全パラメータが大幅に向上しました。OptiMOS™ 6 120 Vファミリーは、
ハードスイッチングおよびソフトスイッチング、高スイッチング周波数および低スイッチング周波数の両アプリケーションに適しており、ノーマルレベルとロジックレベルの両方を使用できます。産業用電源、太陽光発電、充電器、低電圧駆動装置、電動工具など、さまざまなアプリケーションで使用できます。

OptiMOS™ 6 パワーMOSFET 40 VとOptiMOS™ 5 パワーMOSFET 40 V～150 Vは、SuperSO8 DSC (両面冷却) パッケージで、業界標準の
実装面積で両面冷却ソリューションの熱管理のあらゆる利点を提供します。
SuperSO8 DSCは、SuperSO8や他のPQFN 5×6パッケージよりもRthJC-topが低いため、PCBを介した底面冷却との組み合わせでにより、効果的に上面冷却を行えます。MOSFETのダイで発生した熱の約30%は上面から伝わり、PCBに伝わる熱は少なくなります。そのため、同じ放熱量でも
プリント基板が冷えて信頼性が向上するか、MOSFETでより多くの電力を処理できるようになり、電力密度が向上します。そのため、同じ消費電力でもプリント基板が冷えて信頼性が向上するか、より多くの電力をMOSFETで扱えるようになり、電力密度が向上するか、のいずれかです。

PチャンネルパワーMOSFETファミリーは、コスト効率の高いパッケージと、先進的で信頼性の高い成熟したシリコン技術を用いることで、価格性能比が業界でもっともすぐれた高性能製品を提供します。

IM69D128Sは、高SNR (低い自己雑音)、長い電池寿命、高い信頼性が求められるアプリケーション向けに設計された超低消費電力のデジタルマイクです。69dB (A)の優れた信号対雑音比 (SNR) により、電池寿命を犠牲にすることなく、クリアなオーディオ体験を実現します。
革新的なデジタルマイクASICを搭載したIM69D128Sは、消費電流を520 μAまで削減し、新たなベンチマークを打ち立てました (市場で同性能のモデルが提供できる消費電流のほぼ半分)。
さらに、IM69D128Sは、ユーザーに聞こえるようなアーチファクト (グリッチ) を発生させることなく、異なる電力と性能のプロファイルを切り替える技術も備えています。
IM69D128Sは、インフィニオンの新しいSDM (Sealed Dual Membrane) MEMS技術により、マイクレベルでの高い防塵防水性能 (IP57) を実現しています。

高性能デジタルXENSIV™ MEMSマイクIM70D122は、インフィニオンのSDM (Sealed Dual Membrane) 技術を最大限に活用し、70dB (A) という非常に高いSN比と-26dBFSという非常に高い感度を実現しています。特にその高感度と高SN比により、IM70D122は、ラップトップ、タブレット、カメラ、会議システムなどのオーディオ体験を向上させる高度なオーディオキャプチャに完璧に適合しています。このマイクは、インフィニオンの新しいSDM (Sealed Dual Membrane) MEMS技術に基づいており、マイクレベルで高い防塵防水性 (IP57) を実現しています。

リファレンスボードREF_XDPS2221_140W1は、広い入力範囲と出力電圧5 V～28 VのUSB-PDアプリケーション向けに開発されており、公称出力電力は140Wです。

REF_5QR1680BG_30W1は、フライバックトポロジー構成のインフィニオン第5世代擬似共振CoolSET™ファミリー (ICE5QR1680BG) を使用した
補助電源用リファレンスデザインです。

EVAL-6ED2231S12TM1パワー評価ボードでは、インフィニオンのモーター制御用CoolSiC™ MOSFETモジュールおよびSOIゲートドライバー技術を
確認/検証できます。EasyPACK™ 1B 1200 V CoolSiC™ MOSFET三相モジュール1個、モーター制御アプリケーション用インフィニオン三相SOI
(シリコン オン インシュレーター) ゲートドライバーIC 1個、M1コネクタが含まれます。
EVAL-6ED2231S12TM1ボードは、iMOTION™モジュールアプリケーション設計キット (MADK) 用コントロールボードのEVAL-M1-101T、または
互換性のあるM1コネクタを備えた他のコントロールボードと組み合わせて、インフィニオンのEasyPACK™ 1B CoolSiC™ MOSFETモジュールと
3相ゲートドライバーを使ったアプリケーションを設計するお客様の第一歩をサポートするために開発されました。

AURIX™ TC3zxx MCALは、OEMのソフトウェアに対応するため、ASRv4.2.2 MCALに加えて、ASRv4.4.0への対応を追加、強化しました。
さらに、ASIL Dアプリケーションに容易に対応できるように、MC-ISAR TC3xxのロードマップを更新し、ASIL Dに準拠したドライバーを提供することに
なりました。今後のメンテナンスリリース2.25.0では、主要なドライバーをASIL Dに準拠させる予定です。今後発売予定のASIL Dに準拠したドライバーの製品名は「MC-ISAR AS440 EXT TC3xx」です。また、リリース2.30.0では、IEC 61508 SIL-2にも対応する予定です。