設計お役立ち技術情報

オンセミ製品について、設計するときやデバイスを選定するときに役立つ技術情報です。

Wide Bandgap(SiC)

SiC ダイオード、SiC MOSFET、SiC モジュールなど、ワイドバンドギャップによるパワー設計をサポートするデバイスを提供しています。
ショットキーバリアSiCダイオードは、650V、1200V、1700Vの耐圧の製品を揃えており、サージとアバランシェに対して優れた耐久性を持っています。
SiC MOSFETは、従来のシリコン製のIGBTからSiC MOSFETへ置き換えることで、 高いスルーレートでスイッチング損失を低減します。
またスイッチング周波数において、1MHzほどまでの高周波スイッチング駆動を可能にします。それにより周辺部品の小型化、低コスト化を実現します。これらのSiC製品においても、AEC-Q101認定およびPPAP対応の製品も多数取り揃えています。

MOSFET

低、中、高耐圧、およびDual MOSFETなど、様々なアプリケーションに対応する幅広い製品ポートフォリオを提供し、各耐圧ごとにオン抵抗や容量成分が小さな製品を取り揃えています。
低耐圧では、小型パッケージの製品も多数取り揃えており、ポータブル機器などのアプリケーションに最適です。
中耐圧では、最新世代のT10は、従来のMOSFETよりも約15%オン抵抗を小さくすることを実現しています。
Source Down PackageやWettable Flank、LFPAKなどパッケージ技術においても、様々な製品を提供しています。
600V以上の高耐圧では、SUPERFETシリーズとして、多数のラインナップがあります。

CMOS イメージセンサー

オンセミ社のイメージセンサーはCMOSイメージセンサーとして15年以上の車載市場への供給実績がある唯一のメーカーで、自動車メーカーからの厳しい要求に応えた製品を作り続けています。また、小型のイメージセンサーや高解像度のイメージセンサーを産業用途から民生用途まで幅広いアプリケーションへ提供しています。

IPM [インテリジェントパワーモジュール]

IPMは、1つのモジュールにパワー素子の電源スイッチとゲートドライバー、保護素子などが含まれてた製品となります。
オンセミ社は、優れた冷却性能を備えた小さなフットプリントパッケージ技術により、設計者がシステムのコストを削減できる製品を提供します。

PIM [パワー・インテグレーテッド・モジュール]

PIMは、IGBT、MOSFET、Diodeなどパワー素子をモジュール化した製品となります。ハイパワー用途で使用されます。
SiC モジュールには、SiC MOSFETとSiCダイオードが統合されており、伝導損失とスイッチング損失を低減し、高効率と優れた信頼性を実現できます。

IGBT

オンセミ社のIGBTは、Fast(High) Speed製品、Medium Speed製品、低飽和電圧製品を取り揃えているため、用途に合わせてお選びいただけます。
Fast(High) Speed製品においても、低い飽和電圧(VCE(sat))と低いターンオフスイッチング損失(Eoff)を実現しています。
またターンオフ時のVceのピーク電圧についても抑えることができています。
650Vや1200VのIGBTにおいて、TO-247の4ピン(Kelvin Emitterピン有)のパッケージも提供しています。

おすすめ製品

ディスクリート製品

オンセミ社が提供しているディスクリート部品の中で、他社とピン互換品も多数あるため、セカンドソースとしても最適な製品を、いくつかの製品群にわけて、おすすめを紹介します。