上面放熱で放熱性向上、基板の省スペース化を実現！パワーMOSFET　最新Top Coolパッケージ！ - オンセミ

製品概要

パワー系のMOSFETは挿入実装型と表面実装型の二種類あります。中低耐圧のパワー系MOSFETは、多くが表面実装型（SMD）です。表面実装型のパッケージの例として、SO8FL、u8FL、LFPAKなどがあります。これらの表面実装型は、小型でありながらパワーがあることから選ばれています。しかし、これらのデバイスは電力性能が良いのですが、熱伝導が主に基板を経由するため、放熱は理想的ではありません。

そこでオンセミ社は放熱性向上とアプリケーションの小型化を実現するために、MOSFETのサーマルパッド（ドレイン）をトップ側に露出させた新パッケージのTop Coolパッケージを開発しました。

主な特長

・上面冷却による優れた放熱性能
・低オン抵抗RDS(on)による導通損失の最小化
・低ゲート電荷（Qg）によるスイッチング損失の削減
・基板裏面にも部品を搭載可能なため、基板サイズの縮小
・MOSFET下のサーマルビアが不要

Top Cool パッケージのメリット

従来の表面実装型のパワー系MOSFETは小型パッケージでしたが、以下の図に示す様に、放熱のために、基板裏面に他の回路や部品を搭載できない場合もあり、基板全体のサイズが大きくなることもあります。

一方でトップクールデバイスは、この問題を回避することができます。なぜなら、上面にサーマルパットを備えているため、デバイスの上部を通してヒートシンクに直接放熱することができるからです。以下図に示します。このため、MOSFETの配置された基板の裏面に、低電力の他の部品を搭載できます。

またプリント基板(PCB)を介さずに放熱するため、PCBに入る熱量を減らすことができるため、電力密度も高くなります。よって、基板サイズの縮小とコスト削減につながります。

Top Cool パッケージのラインナップ

パッケージ	耐圧 [V]	オン抵抗(max)mΩ @VGS=10V	型番
TCPAK10	40	1.0	NVMJST0D9N04C
		1.2	NVMJST1D2N04C
		1.35	NVMJST1D3N04C
		1.65	NVMJST1D6N04C
		3.3	NVMJST3D3N04C
	60	1.46	NVMJST1D4N06CL
	80	2.8	NVMJST2D6N08H