GaN FET

GaNEXUS™は、ワイドバンドギャップ材料の特性を活用したエンハンスメントモードのディスクリート横型GaN HEMTです。

シリコンパワートランジスターと比較して高速スイッチング、低ゲート電荷および低出力電荷、そして優れた効率を実現します。
これらの特性により、低電圧/中電圧、高電圧、超高電圧の電力変換アプリケーションにおいて、より高い動作周波数、磁気部品の削減、そして電力密度の向上が可能です。
またコンパクトなシステム設計向けに最適化されています。

• 中電圧40~200V 横型GaN FET：オンセミ社製品ページ
• 高電圧650~1200V 横型GaN FET：オンセミ社製品ページ

GaN Integrated Power

GaNEXUS™ Integrated Powerにおいて、GaNEXUS Smartは、保護機能を内蔵した製品です。
GaNスイッチと電流検出や保護といった追加機能の組み合わせを1つのデバイスに統合することで、設計の簡素化、寄生容量の低減、市場投入までの時間の短縮を実現します。
現在、下記製品を提供可能です。

ゲート電圧クランプ保護、ミラークランプ内蔵品：
NCP58934ABL/NCP58934ABT [650V/27mΩ/ TOLL or TOLT]
NCP58935ABL/NCP58935ABT [650V/19mΩ/ TOLL or TOLT]

ゲート電圧クランプ保護、ミラークランプ、過熱保護、短絡保護内蔵品：
NCP58933ABL/NCP58933ABT　[650V/42mΩ/ TOLL or TOLT]

• GaNEXUS™ Integrated Power オンセミ社製品ページ

お問い合わせ / お見積もり

本製品に関してご質問、お見積もりなどのご希望がありましたら以下よりお問い合わせください。