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SiC パワーモジュール

製品概要

SiC パワーモジュールはSiC-MOSFETとSiC-SBDを搭載したパワーモジュールで、IGBTのテイル電流とFRDのリカバリー電流に起因して生じていたスイッチング損失を大幅に削減可能とし、産業機器の電源や、太陽光発電のパワーコンディショナーの用途に採用されています。

製品特長

・スイッチング損失の低減による電源効率改善ならびに冷却器の簡素化➡ヒートシンクの小型化等

・動作周波数の高周波化による周辺部品の小型化➡コンデンサーなどの小型化

製品ラインアップ

型番 PKG PKGサイズ 内部回路 VDS（V) ID （A) PD (W) ジャンクション
温度Max		 保存温度範囲
（MIN)		 保存温度範囲
（MAX)
BSM120D12P2C005 C 122x45.6 (t=17.5) Half bridge 1200 134 935 175 -40 125
BSM180D12P2C101 C 122x45.6 (t=17.5) Half bridge 1200 204 1360 175 -40 125
BSM180D12P3C007 C 122x45.6 (t=17.5) Half bridge 1200 180 880 175 -40 125
BSM080D12P2C008  C 122x45.6 (t=17.5) Half bridge 1200 80 600 175 -40 125
BSM120C12P2C201 C 122x45.6 (t=17.5) Chopper 1200 134 935 175 -40 125
BSM180C12P3C202 C 122x45.6 (t=17.5) Chopper 1200 180 880 175 -40 125
BSM300D12P2E001  E 152x57.95 (t=18) Half bridge 1200 300 1875 175 -40 125
BSM180D12P2E002 E 152x57.95 (t=18) Half bridge 1200 204 1360 175 -40 125
BSM300C12P3E201  E 152x57.95 (t=18) Chopper 1200 300 1360 175 -40 125
BSM180C12P2E202  E 152x57.95 (t=18) Chopper 1200 204 1360 175 -40 125
BSM250D17P2E004  E 152x57.95 (t=18) Half bridge 1700 250 1800 175 -40 125
BSM300C12P3E301  E 152x57.95 (t=18) Chopper 1200 300 1360 175 -40 125
BSM300D12P3E005  E 152x57.95 (t=18) ‐ 1200 300 1260 175 -40 125
BSM400D12P3G002  G 152x62 (t=18) Half bridge 1200 358 1570 175 -40 125
BSM600D12P3G001  G 152x62 (t=18) Half bridge 1200 576 2450 175 -40 125
BSM400C12P3G202 G 152x62 (t=18) Chopper 1200 358 1570 175 -40 125
BSM400D12P2G003  G 152x62 (t=18) Half bridge 1200 397 2450 175 -40 125
BSM600C12P3G201  G 152x62 (t=18) Chopper 1200 576 2460 175 -40 125

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