絶縁型電源 "SiC+AC/DC" の2つの特長

一般的に産業用設備の入力は高電圧、大電力です。そのため、制御機器などに低電圧を供給する補機電源にも200～400Vの高電圧入力が必要となります。これまでは1500V耐圧のSi製MOSFETが使われていましたがオン抵抗が大きいため、発熱が大きくなり、ヒートシンクが必要でした。

ローム社 の "SCT2H12NZ" はシリコンカーバイドを材料に使用しているため、従来のシリコン製に比べ、高耐圧かつ低オン抵抗で、高効率な補機電源を実現します。放熱のためのヒートシンク部品の削減が期待できます。

1. オン抵抗わずか1.15Ωで発熱を大幅減！

ローム社のSiC-MOSFET SCT2H12NZ は1700V耐圧を実現しています 。
また、従来のMOSFETと比較してオン抵抗は8分の1となる "1.15Ω" でFETの発熱が大きく低減され、ヒートシンクの小型化を実現できます。

2. 最大6%の高効率、放熱部品の小型化を実現

"BD7682FJ-LB" はSiC-MOSFETの実力を最大限引き出すことが可能な疑似共振方式 AC/DCコンバータ制御ICです。
SiC-MOSFET SCT2H12NZ と組み合わせることで、最大6%の高効率化がを実現可能です。（ローム社調べ）

すぐに評価を開始できる "1700V SiC+AC DC" 評価ボード

ローム社の "BD7682FJ-LB-EVK-402" 評価ボードはAD/DCコンバータ制御IC BD7682FJ-LB と Si-MOSFET SCT2H12NZ が搭載されており、『1700V高耐圧の絶縁型電源』を簡単に評価することができます。

アプリケーション例

• FA、生産設備など産業用機器の補機電源
• 汎用インバータ、サーボの補機電源
• 太陽光発電システムの補機電源

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