SiC MOSFET製品概要
SiC MOSFETはSiC(シリコンカーバイド)を使用したパワー半導体で、スイッチング時のテール電流が原理的に発生せず、動作が高速かつスイッチング損失が低いデバイスです。
オン抵抗増加を最小限に抑えることができ、Si（シリコン）製パワー半導体よりもパッケージ小型化と省エネの点で優れています。
製品特長
・Si（シリコン）製パワー半導体と比べて、高速スイッチング、低オン抵抗、小型パッケージ
・4端子パッケージ(TO-247-4L）採用により、スイッチング損失をさらに35%低減
製品ラインアップ（第3世代トレンチ構造）
| 品名 | VDSS(V) | ID(A) | PD(W) (TC=25℃) |
RDS(on) Typ(mΩ) |
Qg Typ(nC) |
パッケージ | |
| VGS=18V | VGS=18V | 駆動電圧(V) | |||||
| SCT3017AL | 650 | 118 | 427 | 17 | 172 | 18 | TO-247 (TO-247N) |
| SCT3022AL | 650 | 93 | 339 | 22 | 133 | 18 | |
| SCT3030AL | 650 | 70 | 262 | 30 | 104 | 18 | |
| SCT3060AL | 650 | 39 | 165 | 60 | 58 | 18 | |
| SCT3080AL | 650 | 30 | 134 | 80 | 48 | 18 | |
| SCT3120AL | 650 | 21 | 103 | 120 | 38 | 18 | |
| SCT3022KL | 1,200 | 95 | 427 | 22 | 178 | 18 | |
| SCT3030KL | 1,200 | 72 | 339 | 30 | 131 | 18 | |
| SCT3040KL | 1,200 | 55 | 262 | 40 | 107 | 18 | |
| SCT3080KL | 1,200 | 31 | 165 | 80 | 60 | 18 | |
| SCT3105KL | 1,200 | 24 | 134 | 105 | 51 | 18 | |
| SCT3160KL | 1,200 | 17 | 103 | 160 | 42 | 18 | |
| SCT3030AR | 650 | 70 | 262 | 30 | 104 | 18 | TO-247-4L |
| SCT3060AR | 650 | 39 | 165 | 60 | 58 | 18 | |
| SCT3080AR | 650 | 30 | 134 | 80 | 48 | 18 | |
| SCT3040KR | 1,200 | 55 | 262 | 40 | 107 | 18 | |
| SCT3080KR | 1,200 | 31 | 165 | 80 | 60 | 18 | |
| SCT3105KR | 1,200 | 24 | 134 | 105 | 51 | 18 | |
| SCT3030AW7 | 650 | 70 | 267 | 30 | 104 | 18 | TO-263-7L |
| SCT3060AW7 | 650 | 38 | 159 | 60 | 58 | 18 | |
| SCT3080AW7 | 650 | 29 | 125 | 80 | 48 | 18 | |
| SCT3120AW7 | 650 | 21 | 100 | 120 | 38 | 18 | |
| SCT3040KW7 | 1,200 | 56 | 267 | 40 | 107 | 18 | |
| SCT3080KW7 | 1,200 | 30 | 159 | 80 | 60 | 18 | |
| SCT3105KW7 | 1,200 | 23 | 125 | 105 | 51 | 18 | |
| SCT3160KW7 | 1,200 | 17 | 100 | 160 | 42 | 18 | |
関連情報
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