ローム社から4端子SiC-MOSFETの販売を開始しました。本製品は、SiCを使用することで高速スイッチング性能、低オン抵抗及び高耐圧化を同時に実現し、さらにスイッチング損失の大幅削減とヒートシンクの小型化を実現可能にします。
ROHM SiC Mosfet 新4端子製品特徴
- ローム第3世代トレンチ構造 4端子パッケージ(TO-247-4L)を採用
- ゲート電圧の低減を抑制し、高速スイッチングを実現
- 従来の3端子品と比べスイッチングロスを低減出来る為、アプリケーションのさらなる省エネ化に貢献
従来の3端子パッケージとの比較
従来の3端子パッケージには無いGate driver用ソース端子を新たに設けることで、ゲート電圧の低減を抑制し高速スイッチングを実現しました。
高速スイッチングの実現による損失改善（3端子vs4端子）
従来の3端子パッケージ（TO-247N）と比べ、約35％のスイッチングロス削減を実現でき、アプリケーションの低消費電力化に貢献します。
製品ラインナップ
|
製品型名 |
Polarity(ch) |
Vdss(V) |
RDS(on) Typ.(mΩ） ＜VGS＝18V＞ |
| SCT3030AR |
N |
650 |
30 |
| SCT3060AR |
N |
650 |
60 |
| SCT3080AR |
N |
650 |
80 |
| SCT3040KR |
N |
1200 |
40 |
| SCT3080KR |
N |
1200 |
80 |
| SCT3105KR |
N |
1200 |
105 |
評価ボード
lSiC MOSFET評価ボード「P02SCT3040KR-EVK-001」は、SiCデバイスの駆動に最適なローム製ゲートドライバーIC（BM6101FV-C）や各種電源IC、ディスクリート製品を搭載しており、簡単にデバイス評価を行うことができます。TO-247-4Lパッケージ品はもちろん、同一条件での評価環境を提供するためにTO-247N品の実装も可能です。また、この評価ボードを用いることでダブルパルス試験、Boost回路、2レベルインバータ、同期整流型Buck回路などの評価を行うことが可能です。
想定アプリケーション
- 産業機器
- 発電機器
- サーバー用電源
- EVステーション
お問い合わせ / お見積もり
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