理想ダイオードとは
理想ダイオードはNch MOSFETのゲート電圧制御で、Nch MOSFETを超低順電圧ダイオードのように動作させる制御回路です。
理想ダイオードコントローラーがMOSFETのゲート電圧を制御し、DrainからSourceに通電します。
理想ダイオード・コントローラーの主要回路ブロック
理想ダイオード・コントローラーの主要回路ブロックは以下で構成されます。
1. Charge Pump:Nch MOSFETのゲート電圧生成用昇圧電源
Nch MOSFETをハイサイド駆動するには、Nch MOSFETのゲート電圧を、入力電圧より5Vほど高い電圧に必要で、昇圧チャージポンプにて入力端子電圧より11.5V高い電圧を生成します。
2. Hysteric Gate Driver:Nch MOSFETゲートドライバー
IN端子とOUT端子の端子間電位差(Nch MOSFETのDrainーSource間の電位降下)が数10mV未満になるよう、Nch MOSFETのゲート電圧を制御します。
3. Reverse Current Comparator : 逆流電流検知コンパレーター
IN端子電圧がOUT端子電圧より30mV以上低くなると、内蔵Nch MOSFETにてゲート電圧をソース電圧まで下げ、Nch MOSFETの逆流電流を停止します。
理想ダイオードのメリット:放熱機構を簡素化し電力損失を改善
理想ダイオードはパワーダイオードの順電圧降下による7.0Wの損失を0.5Wに低減し、放熱機構の簡素化が可能です。電力損失は全体の0.5%に改善します。
理想ダイオードのラインナップ
アナログ・デバイセズ社は様々ニーズにこたえる豊富なラインナップを用意しています。
型番 |
LTC4372/4373 |
LTC4376 |
LTC4364 |
LTC4368 |
LTC4363 |
LT8672 |
特徴 |
低消費電力 |
7A MOSFET 内蔵 |
高電圧サージストッパー |
双方向過電流保護 サーキットブレーカー |
電源制限付き 高電圧サージストッパー |
スイッチング電源型 |
サージ・ストップ |
- |
- |
○ |
- |
○ |
- |
逆接保護 |
○ |
○ |
○ |
○ |
- |
○ |
過電流保護 |
- |
- |
○ |
○ |
○ |
- |
逆接電流保護 |
○ |
○ |
○ |
○ |
- |
○ |
消費電流 |
5uA |
150uA |
370uA |
30uA |
700uA |
20uA |
動作電圧 |
2.5V~80V |
4V~40V |
4V~80V |
2.5V~60V |
4V~80V |
3V~42V |
許容電圧 |
-28V~100V |
-40V~80V |
-40V~100V |
-40V~100V |
-60V~100V |
-40V~42V |
低消費電流の理想ダイオード・コントローラー LTC4372/4373
LTC4372/LTC4373は動作時5uA・シャットダウン時0.5uAという低い自己消費電流と、2.5V~80Vという広い電源電圧、8ピンMOPもしくはDFN (3mm×3mm) という小型パッケージの理想ダイオード・コントローラーです。
LTC4372/LTC4373の詳細及び評価ボードキャンペーンに関する動画をご覧ください。
LTC4372/LTC4373の主な特徴は以下になります。
◼ パワー・ダイオードとの置き換えで、電力損失を低減
◼ 低自己消費電流:5uA(動作時)、0.5uA(シャットダウン時)
◼ 広い動作電圧範囲:2.5V~80V
◼ –28Vまでの逆電源保護
◼ ハイサイド外付けNチャンネルMOSFETの駆動
◼ バックツーバックMOSFETを接続して、突入電流の制御が可能
◼ 1.5μs以内の高速な逆電流ターンオフ
◼ 8ピンMSOPパッケージおよび3mm×3mm DFNパッケージ
LTC4372は2uA プルアップ電流源を内蔵し、高抵抗の使用を避けられます。オンオフ回路にプルアップ回路が必要な場合はLTC4372をご検討ください。
アプリケーション例
- オートモーティブ・バッテリーの保護
- 冗長な電源
- ポータブル計装機器
- ソーラー・パワー・システム
- エナジー・ハーベスティング・アプリケーション
- 電源停止
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本記事では、アナログ・デバイセズの理想ダイオードについて紹介をさせていただきました。詳細を知りたいという方は以下からお問い合わせください。
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