製品概要
スマートフォン、スマートカー、ウェアラブルなど、いくつかのIoTデバイスは現在、エッジAIを搭載することによりAI処理のプロセスを最適化しています。
これらのデバイスでは、最適なパフォーマンスを発揮するために、超高速データ処理メモリが必要です。
ウィンボンドの低容量Low Power DDR4X SDRAM(LPDDR4X)シリーズは、このようなデバイスに最適な低容量メモリです。
LPDDR4とは?
LPDDR4 は、LPDDR3より少ない消費電力で、クロック周波数を変更することなく、より広い帯域幅を実現します。
LPDDR4には、JEDEC定義LPDDR4X(VDDQ電圧0.6V)とLPDDR4(VDDQ電圧1.1V)の2つのシリーズがあります。
LPDDR4Xは、LPDDR4よりも低いIO電圧でバスを駆動するため、低消費電力が要求される次世代アプリケーション向けに最適なシリーズです。
データ転送速度は、3200MT/s、3733MT/s、4266MT/sに対応します。Known Good Die(KGD)、200ボールBGAにてご提供可能です。
ウィンボンド のLPDDR4X: ユニークな低容量メモリ
小型化や、新しいAIを搭載した技術が常に進歩する中、オンボードのメモリシステムは、低消費電力かつ高速データ処理を実現することが重要です。
多くの場合、エッジデバイスでのAI処理には1Gビット以下のメモリ容量で十分であり、一方で低消費電力と省スペース化が要求されます。
ウィンボンドのLPDDR4Xはこれらの要求を満たし、特に次のような新しいアプリケーションにエッジAI機能を搭載するのに最適です。
・スマートスピーカー
・先進運転支援システム
・5G携帯電話
・監視システム
・スマート8Kテレビ

LPDDR4 製品ラインナップ
容量 | 型名 | 入力電圧 | スピード | 動作温度範囲 | かけ構成 | Package | ステイタス | 車載対応 ※別途お問い合わせください |
2Gb | W66BP6NBU | 1.8V / 1.1V | 3200/3733/4267Mbps | -40°C~105°C | ×16 | 200BGA | 量産中 | 〇 |
W66BP6NBH | 1.8V / 1.1V | 3200/3733/4267Mbps | -40°C~105°C | ×16 | 100BGA | 開発中 | - | |
4Gb | W66CP2NQU | 1.8V / 1.1V | 3200/3733/4267Mbps | -40°C~105°C | ×32 | 200BGA | 量産中 | 〇 |
KGD に関するご要望は、お問い合わせください。
LPDDR4x 製品ラインナップ
容量 | 型名 | 入力電圧 | スピード | 動作温度範囲 | かけ構成 | Package | ステイタス | 車載対応 ※別途お問い合わせください |
2Gb | W66BQ6NBU | 1.8V / 1.1V/0.6V | 3200/3733/4267Mbps | -40°C~105°C | ×16 | 200BGA | 量産中 | 〇 |
W66BQ6NBH | 1.8V / 1.1V/0.6V | 3200/3733/4267Mbps | -40°C~105°C | ×16 | 100BGA | 開発中 | - | |
4Gb | W66CQ2NQU | 1.8V / 1.1V/0.6V | 3200/3733/4267Mbps | -40°C~105°C | ×32 | 200BGA | 量産中 | 〇 |
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