■コストとスペース効率

小型パッケージ（WSON8、BGA24）を採用しており、PCBのコストと製造の複雑さを低減します。

■高速性と堅牢な信頼性

　・高速アクセスを実現する連続＆シーケンシャル読み出し

　
　　読み出しコマンドを一度実行するだけで、メモリセルアレイ全体にアクセス可能です。

　　両モードともメモリセルアレイからデータバッファへのデータ転送によるレイテンシを排除し、ページおよびブロック境界を越えてデータ出力が同期された状態を維持します。
　

　・柔軟性を高める高度な連続読み出し

　　コマンドをリセットすることなく割り込みを処理する「一時停止/再開」機能により、柔軟性が向上します。

　　また、「柔軟な開始アドレス」をサポートしており、開始アドレスに制限されることなく任意のアドレスを指定できるため、データ取得効率を最大化します。
　

　
　　メモリセルのしきい値電圧の変動を補償するため、読み出し電圧のレベルを動的に調整します。

　　これにより、データが正常に読み出せる可能性が大幅に向上し、製品の動作寿命が延長されます。

　
　　ハードウェアベースの不良ブロック管理用ルックアップテーブル（BBM LUT）により、不良ブロックの交換と管理の効率化、シームレスかつ継続的なデータアクセスを保証します。
　

W25N QSPI NANDフラッシュは、特に高速性能が要求されるシステム向けに、コード保存のための信頼性の高いソリューションを提供します。
高速なデータ転送速度と堅牢なデータ整合性を実現し、産業用アプリケーションなど、幅広い用途に最適です。

WinbondのシリアルNANDを使用することのメリット

NANDフラッシュメモリーでは、メモリー領域で発生するエラーの検出・訂正や、エラーを含むメモリーブロックの管理、さらにエラー発生時に正常な領域へデータを再配置するための処理が必要です。

WinbondのシリアルNANDファミリーには、ECC（Error Correction Code／エラー検出・訂正機能）やバッドブロックマネジメント機能が搭載されており、これらの処理におけるコントローラーの負荷を軽減します。

また、一般的なシステムでは、フラッシュメモリーに格納されたコードをDRAMへ転送し、プロセッサーで実行するため、フラッシュメモリーからDRAMへの転送速度も重要となります。

Winbondの「コンティニュアスリード」機能は、NANDフラッシュメモリーからDRAMへの高速なデータ転送を可能にし、コード転送にかかる時間を短縮します。

1.8V QSPI NAND Flash

3V QSPI NAND Flash

更新案内

2026/08/18 一部ラインナップ・表記の修正を行いました。