製品概要
IGBTは絶縁ゲート型バイポーラートランジスター（Insulated Gate Bipolar Transistor）の略です。入力部がMOSFET構造、出力部がBIPOLAR構造のデバイスで、低い飽和電圧と、比較的速いスイッチング特性を両立させたトランジスターです。
ロームのIGBT製品は、幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化に貢献します。
製品特長
・低い飽和電圧（パワーMOSFETの低オン抵抗に相当）
・スイッチング速度が速く、高耐圧でもオン抵抗が低い
製品ラインアップ
| 型番(Field Stop Trench IGBT ) 新製品 |
シリーズ | Vces(V) | Ic(100℃) [A] |
Vce（Typ) [V] |
tf(Typ） [ns] |
ダイオード内蔵 | Package | Package Size |
| RGWS00TS65 | WS:High speed SW, cost effective | 650 | 50 | 1.6 | 38 | - | TO-247GE | 15.94x20.95 (t=5.02) |
| RGWS00TS65D | WS:High speed SW, cost effective | 650 | 50 | 1.6 | 38 | FRD | TO-247GE | 15.94x20.95 (t=5.02) |
| RGWS60TS65 | WS:High speed SW, cost effective | 650 | 30 | 1.6 | 46 | - | TO-247GE | 15.94x20.95 (t=5.02) |
| RGWS60TS65D | WS:High speed SW, cost effective | 650 | 30 | 1.6 | 46 | FRD | TO-247GE | 15.94x20.95 (t=5.02) |
| RGWS80TS65 | WS:High speed SW, cost effective | 650 | 40 | 1.6 | 40 | - | TO-247GE | 15.94x20.95 (t=5.02) |
| RGWS80TS65D | WS:High speed SW, cost effective | 650 | 40 | 1.6 | 40 | FRD | TO-247GE | 15.94x20.95 (t=5.02) |
| RGWSX2TS65 | WS:High speed SW, cost effective | 650 | 60 | 1.6 | 29 | - | TO-247GE | 15.94x20.95 (t=5.02) |
| RGWSX2TS65D | WS:High speed SW, cost effective | 650 | 60 | 1.6 | 29 | FRD | TO-247GE | 15.94x20.95 (t=5.02) |
関連情報
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