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【無料セミナー】SiC/GaN搭載!次世代スイッチング電源 新設計法 (開催日:2026/4/17)

セミナー概要

ローム社主催セミナーのご案内です。

4月17日(金)13:00より、「SiC/GaN搭載!次世代スイッチング電源 新設計法」と題したセミナーを開催いたします。
本セミナーでは、SiC/GaNパワートランジスターを用いた回路設計・実装において重要な「ノイズ対策」「熱対策」「基板設計」「シミュレーション」を軸に、
3名の専門家がそれぞれの専門領域から全4セッションで体系的に解説します。
シミュレーションや実験・実例を交えながら、高耐圧・高速動作・小型化といった設計上の課題に対し、問題発生のメカニズムを基本から整理し、
設計に活かせる具体的な対策と事前検証の考え方を持ち帰っていただける内容です。

セミナーの後には懇親会もございます。ぜひご参加ください。

■開催日程:2026年4月17日(金)
 受付:12:30
 セミナー:13:00~17:40
 懇親会:17:50~18:50
(講師参加予定)

■会場:ローム新横浜駅前ビル(新横浜駅すぐ/横浜市港北区新横浜2-4-8)[地図はこちら]
■参加費:無料(事前登録制/応募者多数の場合は抽選となります)

人気のセミナーとなっておりますので、お早めにお申し込みいただくことをお勧めします。
※申し込み締切:3/31(火)15時
※本セミナーは対面での開催となります

こんな方におすすめ

・電源/インバータ、産業用ロボット・機械の制御ユニットなどの設計・開発に携わる方
・データセンター/サーバ、PCや制御/計測機器などの開発・熱設計に携わる方
・関連テーマに関心のある方

アジェンダ

時間 内容
セッション1
13:10-14:10

SiC MOSFETで実現する ±1.5kV超高電圧スイッチング・アンプの設計技術
〜設計マージンと低発熱を両立する高耐圧・高信頼ドライブ回路〜

セッション2
14:20-15:20

SiC/GaN FETの特性理解と回路設計の基礎
〜半導体内部構造に基づく損失低減/高速化/小型化の設計アプローチ〜

セッション3
15:30-16:30

SiC/GaN FETを用いたゲート駆動回路&基板設計の要点
〜誤動作・トラブルの原因と対策から、シミュレーションによる事前検証まで〜

セッション4
16:40-17:40
高速パワーデバイス時代の最新熱設計とシミュレーション活用術
〜設計初期段階での効率的放熱・冷却手法と計算・解析による検証〜
17:50-18:50 懇親会(講師も参加予定)

お問い合わせ

ご質問などございましたら、こちらよりお問い合わせください。

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