業界トップ※の低オン抵抗！急速充電に最適な小型MOSFETを開発

※2025年4月15日現在 2.0mm×2.0mmのパッケージサイズでローム調べ

ローム株式会社（本社：京都市）は、2.0mm×2.0mmのパッケージサイズで業界トップとなるオン抵抗 2.0mΩ(Typ.)のNch 30V耐圧コモン・ソース構成のMOSFET「AW2K21」を開発しました。

　
新製品は、ロームの独自構造でセルの集積度を向上させており、チップ面積あたりのオン抵抗を低減。また、1つの素子に2つのMOSFETを内蔵する構造を作り込んでおり、受給電回路で求められる双方向保護用途などにも新製品1つで対応可能です。

　
またこの独自構造により、一般的な縦型トレンチMOS構造では裏面に配置されるドレイン端子をデバイス表面に配置することができ、WLCSPを採用しました。
WLCSPは、部品内部に占めるチップ面積の割合を大きくできるため、本製品は部品面積当たりのオン抵抗も低減しています。これらのオン抵抗の低減は電力損失低減に加え、大電流化にも寄与するため、超小型ながら大電力の急速充電に対応できます。
小型機器の受給電回路において比較すると、一般品は3.3mm×3.3mmの製品が2つ必要となるのに対して、本製品は2.0mm×2.0mmの1つで対応でき、約81％の部品面積削減と約33％の低オン抵抗化が可能となります。
ロードスイッチ用途の単方向保護MOSFETとしても使用可能であり、この場合でも業界トップの低オン抵抗を実現しています。

詳細はこちらをご参照ください。

・ローム社サイト

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