AC-DC電源の二次側やホットスワップ回路の高効率化で省電力化と安定稼働に貢献。
業界トップクラス※の低オン抵抗・高SOA耐量のNchパワーMOSFETを開発。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　  ※2025年2月26日 5060サイズパッケージのパワーMOSFETでローム調べ

ローム株式会社は、企業向け高性能サーバーやAIサーバーの電源に向けて、業界トップクラス※の低オン抵抗と高SOA耐量を実現したNchパワーMOSFETを開発しました。

新製品は、企業向け高性能サーバーに用いられる12V系統電源のAC-DC変換回路の二次側およびホットスワップコントローラー(HSC)回路に最適な「RS7E200BG(30V)」と、
AIサーバーに用いられる48V系統電源のAC-DC変換回路の二次側に最適な「RS7N200BH(80V)」 「RS7N160BH(80V)」の計3機種です。

 
いずれの新製品もDFN5060-8S(5.0mm×6.0mm)パッケージの新開発により、従来のHSOP8(5.0mm×6.0mm)パッケージに比べ、パッケージ内のチップ面積が約65％向上しました。これによりオン抵抗特性において、30V品「RS7E200BG」で0.53mΩ(Typ.)、80V品「RS7N200BH」で1.7mΩ(Typ.)と5.0mm×6.0mmのパッケージサイズで業界トップクラスを実現し、サーバーの電源回路における高効率化に大きく貢献します。

また、パッケージ内部のクリップデザイン形状を工夫し放熱性を向上させたことで、アプリケーションの信頼性確保に寄与するSOA耐量も向上しています。特に30V品「RS7E200BG」は、SOA耐量が70A以上（条件：パルス幅=1ms、VDS=12V時）と、従来のHSOP8パッケージ品に比べて同条件で2倍を達成し、5.0mm×6.0mmのパッケージサイズで業界トップクラスの高SOA耐量を実現しました。

詳細はこちら （ローム社サイト）