製品概要

NCD83591は高ゲイン帯域幅電流センスアンプを備えた使いやすい60 Vマルチパーパス三相ゲートドライバーであり、台形波制御モーターアプリケーションに最適です。出力段パワーMOSFETのゲート駆動電流は外付け分圧抵抗値で調整でき、チャージ電流は5 ~ 250 mA (ディスチャージ電流はチャージ電流の2倍) の範囲で設定できます。

また、5 ~ 60 V のモーター電圧から内部ゲートドライバー回路駆動電圧を NCD83591 内蔵電圧レギュレーターで生成するため単一電源供給で動作します。QFN 28 (4mm x 4mm) パッケージを採用しており、小さなフットプリントで三相モータードライブ回路をデザインできます。

主な特長・機能

• 5 V ~ 60 Vまでの動作電圧 (最大定格 70 V)
• パワーMOSFETの定電流駆動、5 mAから250 mAまで設定可能 (VDRVピンへの入力レベルによる16の設定)
• 内部生成ゲートドライブ電源電圧
• クロスコンダクション保護と最適化されたデッドタイムのためのゲートセンシング
• 高GBW汎用アンプを内蔵 (電流センシング用、外部設定可能)
• DC静的ドライブが可能な組み込みチャージポンプ機能
• 5 V/3.3 V対応6本の制御入力とイネーブル入力
• 最大30 kHzモーターPWM (個別6ゲート制御モード)

アプリケーション図

ゲートセンシングとデッドタイム

IL入力はアクティブロー、IH入力はアクティブハイで動作します。
IL、IHに同じパルス信号を入力しても、NCD83591のゲートセンシングにより既にHighを出力しているポートを立ち下げ、デッドタイム(txcp)経過後に次の出力ポートをHighにします。

アプリケーション適用例

・パワーツール
・ファクトリーオートメーション/協働ロボット/搬送用ロボット
・電動自転車/電動スクーター

最後に

オンセミ社はNCD83591以外にも 625 V耐圧の三相ゲートドライバー製品や、ハーフブリッジタイプ、シングルタイプのゲートドライバー製品を用意しています。また、モーター駆動に最適化された低オン抵抗、低ゲート電荷のパワーMOSFETも用意しています。

三相モーターアプリケーションを開発時は、ぜひお問い合わせください。

お問い合わせ / お見積もり

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