TRAVEO™ CYT3DLは、インストルメントクラスターやヘッドアップディスプレイ (HUD) などの自動車システム専用のTRAVEO™ T2Gマイクロコントローラのファミリーです。TRAVEO™ T2Gデバイスは、先進の40nmプロセスで製造されています。CYT3DLは、最大240MHz動作のCortex®-M7、WVGA GFXを搭載し、2つの異なるパッケージ、216ピンのTEQFPと272ピンのBGAで提供しています。また、インフィニオンの低消費電力フラッシュメモリ、複数の高性能アナログおよびデジタルペリフェラルを内蔵しており、安全なコンピューティングプラットフォームを構築できます。

TRAVEOTM CYT4DNは、インストルメントクラスターやヘッドアップディスプレイ (HUD) などの自動車システム専用のTRAVEO™ T2Gマイクロコントローラのファミリーです。このファミリーは、2Dグラフィックスエンジン、サウンド処理、最大320MHzで動作するプライマリ処理用の2つのArm® Cortex®-M7 CPU、周辺機器やセキュリティ処理用のArm®Cortex®-M0+ CPUを備えています。さらに、720pのGFXを搭載し、327ボールBGAというユニークなパッケージも備えています。

EiceDRIVER™ SOIファミリーに、商用空調システム、ヒートポンプ、サーボドライブ、産業用インバーター、ポンプ、ファン (最大10 KW) などの高出力アプリケーション向けに、初の1200 V SOIハーフブリッジ構成製品が加わります。この2ED132xシリーズは2種類のパッケージ展開で、4製品があります: DSO-16とDSO-20の2種類のパッケージで、いずれも300 milのワイドボディパッケージです。これらの製品は、IGBTだけでなく、1200 VのSiC MOSFETにも完璧に適合しています。インフィニオンのSOI技術は、VSピンの負の過渡電圧に対して優れた耐久性とノイズ耐性を提供します (SOIは定義上、寄生サイリスタ構造を持ちません)。この結果、700 nsのパルスを繰り返すと100 Vの-VS過渡電圧耐性が保証されます。

本デバイスは、ベンチマークであるEDT2 IGBT技術を搭載し、耐圧750 Vでスイッチング損失および導通損失を最小限に抑えています。これにより、最大450 VDCのバッテリー電圧を実現します。堅牢で現場で実証済みのEDT2テクノロジーと卓越したインフィニオンの品質を組み合わせることで、インバータ システムの性能と信頼性を大幅に向上させることができます。同封されているダイオードは、効率的でソフトなスイッチング動作をする高速リカバリーのアンチパラレルEmitterControlledダイオードです。

2チャンネル絶縁ゲートドライバーICの製品ファミリーであるEiceDRIVER™ 2Edi は、CoolMOS™ SJ MOSFET、CoolGaN™ GIT HEMT、SiC MOSFETを大出力スイッチングノイズ下で高性能かつ堅牢な動作を行うために設計されています。
本製品は、一次、二次間制御のハードスイッチングおよびソフトスイッチングトポロジーで使用します。電力変換効率を最適化し、通常動作および異常動作時におけるスイッチモード電源の堅牢性を確保する上で、必要不可欠です。

車載、産業アプリケーション向けに電流経路を搭載した電流センサー。ACおよびDC測定用の電流経路を搭載した高精度な小型コアレス磁気センサーです。測定された電流値に比例したアナログ出力を行います。さらに、2つのデジタル出力で過電流の検出が可能です。電流によって発生する磁界の測定において、実績の高いインフィニオンの堅牢なモノリシック ホール技術を使用し、高精度かつ高リニアリティを実現しています。今回開発したTISON-8-6パワーパッケージは、車載用として要求される組立ラインでの光学検査を可能にしています。測定範囲が最大±120 Aと広く、コアベースのセンサーで問題になるヒステリシスや飽和などの悪影響を受けることなく、電流検出を行います。