1EDN71x6Uは、インフィニオン CoolGaN™ショットキーゲート (SG) HEMT、およびその他のGaN SG HEMTとSi MOSFETの駆動用に最適化された1チャネル ゲート ドライバーICです。このゲートドライバー ファミリーは、Truly differentiallogic input (TDI)、4つの駆動強度オプション、アクティブ ミラークランプ、ブートストラップ電圧クランプなど、高速スイッチング トランジスターを用いた高性能システム設計を可能にするいくつかの主要な機能を備えています。TDI機能により、ゲートドライバーの出力状態は、同相電圧が150 V (スタティック) および200 V (ダイナミック) 以下であれば、ドライバーの基準 (グランド) 電位に依存せず、2つの入力の電圧差のみによって制御されます。これにより、ローサイドのアプリケーションにおけるグランドバウンスによる誤動作のリスクを排除すると同時に、1EDN71x6Uはハイサイドのアプリケーションにも対応します。1.8×1.8 mmの小型パッケージのTSNP-7に搭載されているドライバー ファミリーです。

X3 Compact (1ED31xx) ファミリーは、ミラークランプ機能などのオプションを備えたコンパクトで設計が容易な絶縁型ゲートドライバー ファミリーです。このゲートドライバーファミリーは、最大14 A (typ) のピーク出力電流、優れた伝搬遅延マッチングを提供します。これにより従来のIGBTやMOSFETからSiC MOSFETやIGBT7まで、あらゆるタイプのスイッチに最適です。また、SiC MOSFET向けの低電圧誤動作防止機能 (UVLO) を搭載した新ファミリーが登場しました。より高いUVLOとアクティブミラークランプ機能は、寄生ターンオンを回避し、アプリケーションの安全性を向上させており、SiC MOSFETに最適です。UL1577認証を受けたX3 Compact (1ED31xx) ファミリーは、太陽光発電、EV充電、蓄電システムなど、幅広いアプリケーションに対応します。

モノリシックに集積された1100 V/30 A TO-247パッケージRC-IGBT R5は、シングルエンド共振トポロジーを使用する誘導加熱アプリケーションの厳しい要件を満たすよう設計されています。FE能力が向上し、従来のR3世代の置き換えに最適な製品です。

8Mbitおよび16MbitのEXCELON™ 強誘電体RAM (F-RAM）は、インフィニオン テクノロジーズの次世代F-RAMデバイスEXCELON™ファミリーの新製品で、業界最大容量のシリアルNVRAM (不揮発性メモリー) を実現し、ミッション クリティカルな データ取得に、優れた性能と信頼性を提供します。新製品の8Mbitおよび16MbitのEXCELON™ F-RAMは、高速不揮発性データロギング用の小PINSPIおよびQuad SPI (QSPI) インターフェースを備え、産業用や自動車用など、極端な温度の過酷な環境下での使用も可能です。