製品紹介
高電力密度を可能にする窒化ガリウム（GaN）プロセスは、小型でありながら高出力のパワーアンプを実現可能にします。GaNの製品を選定することで、部品点数も削減することができ、フットプリントも小さくできます。その結果、小型、高効率で信頼性の高いパワーアンプ回路を構成することが可能となります。これにより、重さ、消費電力やシステムサイズに対して要求が厳しい、航空電子機器、レーダー、衛星、防衛システムなどのRF回路にとってGaNプロセスの製品の需要は高まっています。
アナログ・デバイセズは、様々な周波数帯アプリケーションの開発に取り組んでいます。GaNプロセスの技術を利用して、RF アンプ／マイクロ波パワーアンプを製造しています。出力電力レベルは、35Wattで効率は50%を超え、2～20GHzの広い周波数帯域をカバーしています。次のグラフは、他の技術とGaN 技術を比較し、高い電力と広い周波数範囲を実現できることを示したものです。
GaNアンプ
| HMC8205 | パワー・アンプ、GaN、0.3 ～ 6 GHz、35 W |
| HMC1086F10 | 25 W GaN フランジ・マウント MMIC パワー・アンプ、2 GHz ～ 6 GHz |
| HMC8500LP5DE | >10 W、0.01 GHz ～ 2.8 GHz、GaN パワー・アンプ |
| HMC1099LP5DE | 10ワットGaNパワー・アンプ、0.01～1.1GHz |
| HMC1114LP5DE | 10 W、GaN パワー・アンプ、2.7 GHz ～ 3.8 GHz |
| HMC7149-DIE | 10ワットGaN MMICパワー・アンプ、6～18GHz |
| HMC1087-Die | 8 W GaN MMIC パワー・アンプ、2 GHz ～ 20 GHz |
| HMC1087F10 | 8 W GaN フランジ・マウント MMIC パワー・アンプ、2 GHz ～ 20 GHz |