全体損失が低減できる低ON抵抗のSiCカスコードJFET

オンセミ社は、非常に特徴的なカスコード接続されたSiCカスコードJFETを提供しています。実際のデバイスの内部の簡易回路図は、図1です。見ての通り、SiC-JFETとSi-MOSFETカスコード接続されていることが分かります。このような接続をすると、Si-MOSFETをつないでいるように見えるため、使い勝手が非常に向上します。

また、SiC-JFETはノーマリーオンといって、ゲートなどがOPENになると、ONしてしまい危険なモードに入るのですが、カスコード接続することによって、ノーマリーオフにすることができます。オンセミ社だけが、このようなSiCカスコードJFETを現在開発しています。

オンセミ社のSiCカスコードJFETのデバイスが単位面積あたりのオン抵抗が低い理由

図2は一般的なSiC MOSFETとオンセミ社のカスコード接続したSiCカスコードJFETの簡易的な断面構造になります。電圧を印加したときのオン抵抗を分析していきますが、R_DriftとR_JFETというパラメーターはSiC MOSFETでもSiC JFETでもほとんど同じになります。しかしながら、SiC MOSFETにはチャネル抵抗というものが存在しており、この値は非常に高い値となっています。オンセミ社のSi MOSFETの値にくらべて一般的なSiC MOSFETは10倍ほど悪い値となり、たとえば650Vを印加した状態では、チャネル抵抗が全体のオン抵抗の50%以上を占めます。

オンセミ社のSiCカスコードJFETを見ると、SiC MOSFETのようなチャネル抵抗はJFETにありませんが、Si MOSFETのオン抵抗が存在します。このSi MOSFETはオンセミ社が独自に設計しており、非常に低いオン抵抗になります。このため、FET全体のオン抵抗 に対して10%以下の値となって、結果的に合計のオン抵抗が低くなります。

図2：標準的なSiC MOSFET/オンセミSiCカスコードJFET 構造の違い

オンセミ社の最新世代750V Gen 4シリーズは、従来の製品よりも400Vまたは500Vのバッテリー/バス電圧アプリケーションの設計マージンが確保できるようになりました。Gen4デバイスは、定格電圧が上昇しているにもかかわらず、高度なセル密度を採用しているため、単位面積あたりのRDS（on）を低減することができ、業界で最も低いオン抵抗の製品をすべてのパッケージで提供します。

さらに、高い電流定格は、高度な焼結ダイアタッチ技術によって達成され、改善された放熱性能を提供します。図3は、新しい750V製品の単位面積当たりのオン抵抗を650V定格の他社製品と比較しています。全温度範囲で大幅に低い値を示しています。

オンセミ社は、画期的なGen 4 SiC FETポートフォリオを拡充し、TO-247 4リードパッケージの750V/6mΩ SiCカスコードJFETとD2PAK-7L表面実装パッケージのオン抵抗9mΩまでの製品を拡大しました。図4を参照ください。

オンセミ社は、業界最高のオン抵抗 x 面積 (RDS(on) x A) を活用して、幅広い電力レベルとパッケージ オプションにわたって第 4 世代 SiCカスコードJFET ポートフォリオを拡大し、クラス最高の性能指数を提供します。750V SiCカスコードJFETは、TO-247-3LおよびTO-247-4Lスルーホールパッケージで、6mΩ～60mΩのオン抵抗および高電圧対応6.7mmの沿面距離を持つ低インダクタンスの表面実装D2PAK 7Lパッケージで9mΩ～60mΩで提供しています。

また、750V デバイスの完全な選択肢により、設計者は製品範囲をカバーするために複数の異なるメーカーの SiC コンポーネントを使用して設計するのではなく、オンセミ社 が提供する同じベンチマーク テクノロジーを使用して多くのアプリケーションと電力レベルに対応することができます。 低オン抵抗オプションはケルビンソース接続パッケージ (TO-247-4L および TO-263 7L) で提供され、ユーザーはよりクリーンなゲート波形で高速な大電流スイッチングをおこうなうことができます。

一方、低消費電力の SiCカスコードJFET (18mΩ～60mΩ) は、ケルビン接続および従来の TO-247-3L オプションで提供されます。

さらに、Gen 4 SiCカスコードJFETで表面実装型TOリードレス（TOLL）パッケージの製品ポートフォリオを拡充しています。

TOLLパッケージ製品の詳細内容は以下をご覧ください。

並列接続を容易にするオン抵抗の正の温度係数

オン抵抗が正の温度係数をもっているカスコードSiC FETは、温度が高くなるとパワーが取れなくなることを意味します。高温下でのシステムを設計する際には、温度上昇や放熱などに注意が必要となります。

一方、この正の温度係数は、カスコードSiC FETを並列接続した場合、メリットとなります。複数個を並列接続したカスコードSiC FETのうち1つが発熱したとき、そのデバイスのオン抵抗が大きくなり、その結果デバイスに流れる電流値が減ります。したがって消費電力が減り、温度が均一化する方向に作用します。

まとめ

オンセミ社のSiCカスコードJFETは、他社と比較してもより低いON抵抗製品を提供していることから、高い電力密度のアプリケーションに対してモジュールではなくディスクリートでの開発を可能にします。また、モジュールからディスクリートに置き換えることでコスト低減も可能になります。

また低ON抵抗製品であることから、並列接続をしても発熱を抑えることができ、他社と比べても並列接続を容易にすることが可能です。オンセミ社のSiCカスコードJFETは、高い電力密度要求を満たすことができる製品です。

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