Gen3 SiC-FETの高温でのスイッチング特性

Qorvo Gen3 SiC FETの特長の 1つは、高温になるとスイッチング損失と Qrrが減少し、一度発熱すると効率が良くなることです 。本アプリケーションノートでは、この特性の理由について詳しく説明しています。
英語版は以下にあります。

資料ダウンロードはこちら

日本語版のアプリケーションノートは以下からダウンロードをお願いします。

※正式版のドキュメントは英語版をご参照ください。日本語版の資料につきましては参考資料としてお取扱いください。