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エミッターベース間電圧Vebo
シリーズ3回目はエミッターベース間電圧Veboについて説明します。
エミッターベースジャンクション耐圧は一般的に6V~9Vの範囲です。
高濃度の拡散層でジャンクション形成しているため、上述のように耐圧は低くなっています。
また高濃度形成のEBジャンクションは破壊されやすいので、例えばNPN-NPNのハーフブリッジ構成でモーター駆動させる時は、ハイサイド側のエミッターにモーターからの逆起電圧、Vebo以上が入らないよう注意が必要です。
筆者の前職のIC設計では、必ずエミッターコレクター間にクランプダイオードを入れて対策していました。
余談になりますが、EBジャンクションの破壊痕は綺麗な筋破壊痕が多く(図11、図12参照)、特性も単純なダイオード動作になるため破壊の判断も簡単です(図13参照)。
さらに破壊対策もシンプルです。新人エンジニアにはスイッチング電源回路もしくはモーター駆動回路にNPNを使ってわざと破壊して対策を考えてみることをお勧めします。
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