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ドライバー内蔵のGaNパワースイッチを使用したトーテムポールPFC回路で99%近い高効率を実現!

GaNをFast Leg部分に使用したCCMトーテムポールPFC回路を下左図1に示します。このときの効率が下右図2です。115Vac97%に近い効率、230Vac98%以上の効率を実現しています。

トーテムポールPFC回路は、PFC回路において電力損失の主な原因であったブリッジダイオードをアクティブスイッチに置き換え、さらに高い周波数に対応したGaNを使用することによって高効率を実現できています。

また上記CCMトーテムポールPFC回路に、LLC回路や二次側のSRコントローラーを含めた1kW電源の概略図を下図に示します。

このときの出力50V/20Aにおいて、下図の通り、115Vacで93.6%の効率、230Vac96.1%の高い効率を実現しています。



回路図内で、NCP1681はトーテムポールPFCコントローラー、NCP58921はドライバー内蔵のGaNパワースイッチ、NCP51561は絶縁ゲートドライバー、NCP51530はゲートドライバーです。

オンセミ社は、トーテムポールPFC回路の評価ボード、240W500W電源の評価ボード、上記に効率データを示した1kW電源の評価ボードとさまざまな評価ボードと各ユーザーガイドなど用意してありますので、ぜひお問い合わせください

最後にNCP58921含めたGaNパワースイッチ製品[NCP58920/ NCP58921/ NCP58922]の特長について、説明します。

Gate driver + E-mode GaN 内蔵によりドライバーとGaN間の配線インダクタンスを最小限に抑えることが可能なため、きれいな駆動波形、より高い dv/dt 耐性、PCB 設計レイアウトの簡素化を実現します。(右図参照)
・6 V 内部クランプ GaN ゲート駆動内蔵。
・オン抵抗:50mΩ/78mΩ/150mΩ
650V ブレイクダウン電圧
30ns(typ)伝播遅延時間
2.75mm沿面距離
・TQFN26 8x8 Bottom Side Coolパッケージ
SiCなどでは対応が難しい1MHz(max)の高速スイッチングに対応可能

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