SiC ショットキーバリアダイオード

SiCショットキーバリアダイオードは、逆回復時間がほとんどなく、温度による特性変動が小さいスイッチング特性と、最大ジャンクション温度Tj=175℃の優れた熱性能が特長です。

また従来のシリコンショットキーバリアダイオードは耐圧200V付近が限界でしたが、現在、SiCショットキーバリアダイオードは耐圧650V/1200V/1700Vの電圧値の製品があり、オンセミ社は、100デバイス以上の製品が提供可能です。

特に各社電流能力やパッケージなどを多数揃えてきている耐圧650Vの製品群において、オンセミ社は強い競争力を持っています。

SiC MOSFET

高電圧スイッチング電源アプリケーションの用途において、従来のIGBTやシリコンMOSFETに比べて､SiC MOSFETは大きな利点をもたらします。IGBTでは50kHzほどまでであったスイッチング周波数をSiC MOSFETでは1MHzほどまでの高周波スイッチング駆動を可能にします。それにより、周辺部品の小型化、低コスト化を実現します。

またSiC MOSFETは非常に堅牢であり、シリコンデバイスと比較して、サージ定格がより高く、アバランシェ能力が改善されており、より高い信頼性を提供します。さらにオンセミ社のすべてのSiC MOSFETには、自動車などのアプリケーション向けにAEC-Q101認定およびPPAP対応のオプションがあります。

オンセミ社では、現在耐圧900V/1200VのSiC MOSFETを提供しており、1200Vデバイスでは電流能力が最大103A、900Vデバイスでは最大118Aとなります。また今後さらに製品のラインナップを増やしていく予定です。

SiC MOSを駆動させるゲートドライバー～NCP51705

SiC MOSFETは高速動作を可能にしますが、その能力を十分に発揮するためには、適切なドライブ回路設計が必須となります。SiC MOSFETの性能を最大限に活用するために、SiC MOSFET駆動向けゲートドライバーNCP51705があります。

NCP51705の特長は下記です。

プログラマブル低電圧ロックアウト(UVLO) : UVSET機能

UVLOの電圧レベルを外付け抵抗により設定が可能な機能です。

SiC MOSFETの性能を最大限に活かすために、上記のような機能を持ったゲートドライバー NCP51705を合わせてご検討いただければと思います。

SiC モジュール

オンセミ社はモジュールでもさまざまな製品を取り揃えています。
1200V、80mΩのSiC MOSFETと1200V、20AのSiCダイオードを統合した2チャンネルモジュールであるNXH80B120MNQ0 や、
1200V、4mΩのSiC MOSFETのハーフブリッジのモジュールなどがあります。
また車載対応のモジュールも多数取り揃えています。

お探しのモジュール製品があるかどうか、ぜひオンセミ社のホームページにて確認ください。
オンセミ社SiCモジュール製品ラインナップ

お問い合わせ

太陽光発電用インバーター、電気自動車 (EV) 用の車載充電器（オンボードチャージャー）、無停電電源装置 (UPS)、サーバー用電源、充電ステーションなど、要求が厳しく、高成長が期待されるさまざまな用途に向けて、シリコンMOSFETなどでは不可能だった性能を実現でき、システムのサイズとコスト削減に貢献するSiC製品についてお探しの場合は、ぜひ下記の問い合わせボタンにてお問い合わせください。