強誘電体ランダム・アクセス・メモリ（FRAM）とは、フラッシュと同様に不揮発性ですが、高速、かつ低消費電力での書き込みに対応しており、1000兆回を超える書き込み耐久性と優れたフレキシビリティ (※) を備えています。

※FRAMは高速な書き込み/読み出しが可能でありSRAMのように扱う事が可能です。そのため、プログラム領域とデータ領域を柔軟に変更する事が可能となっています。

下記リンクから詳細をご確認いただけます。

http://www.tij.co.jp/lsds/ti_ja/microcontrollers_16-bit_32-bit/msp/ultra-low_power/msp430frxx_fram/what_is_fram.page#molecular