これは、Qorvo SiC FET の Cgd が非常に小さいため、非常に速くターンオフする傾向があり、ターンオフ損失も非常に低いためです。 したがって、約 20 Ωの Rg,off を使用すると、FET のターンオフを約 80 V/ns の dv/dt まで遅くすることができますが、それでもかなり高速であり、非常に低いターンオフ損失が得られます。

したがって、基本的には、20 Ωの Rg,off を使用すると、従来の SiC MOSFET と同等かそれより優れたターンオフ損失を達成できます。