SiC カスコード FET の場合、より高い Vgs(on) またはより低い Rgon を使用することにより、ターンオン速度を向上させることができます。 デバイスのターンオンは、Rgon が高く、Vgs(on) が低いほど遅くなる可能性があります。 Rgoff を使用してターンオフを調整するのは難しくなりますが、Rgoff を高くすると実際にはデバイスの速度が低下します。 スイッチング損失の劣化を大幅に抑えてオーバーシュートとリンギングを最小限に抑えるには、DC バス上またはデバイス全体で小型の RC スナバを使用することをお勧めします。

参考記事は以下になりますので、ご覧ください。
SiC FETのスイッチング中のdV/dtを遅くする方法