Qorvo FET は、650 V でも横型 GaN FET よりもはるかに低い RdsA を持つ縦型 SiC JFET を使用しています。また、はるかに高い電圧定格まで拡張することもできます。 また、カスコード デバイスは、特殊なカスタム LV MOSFET を使用して FET の動作を簡素化し、既存のすべての SiC MOS および Si IGBT/MOS スイッチとのゲート駆動互換性を提供します。

Qorvo SiC FET が優れている主な構造的理由は、Cds=0 の JFET 構造に由来しており、これにより、GaN カスコードで発生する高速スイッチング時の分圧器の問題は、SiC カスコードでは発生しません。