Qorvo は、ゲート駆動の容易さ、ボディー ダイオードの良好な動作、短絡処理の良好さなど、カスコード デバイスの優れた特性により、SiC JFET ベースのカスコードに焦点を当ててきました。 また、SiC プレーナおよびトレンチ MOSFET と比較して、SiC 縦型 JFET の RdsA が低いので、コストパフォーマンスにすぐれます。これは、MOSFET のチャネル領域がデバイスの RdsA に大きく寄与するためです。

この違いは、JFET と MOSFET の両方のテクノロジーが進歩しても、1200 V で、そして 650 V ではさらに顕著になることがわかります。2019 年のスタック型カスコード チップのリリースにより、Qorvoのカスコードのアセンブリーの複雑さは SiC MOSFET と同等になります。 これらの改善により、カスコードはワイド バンド ギャップ (WBG) スイッチの利点を必要とするパワー エレクトロニクスの長期的なソリューションになると考えられます。