はい。 ハードスイッチングの場合、ターンオン dv/dt の傾きはゲート抵抗によって効果的に制御できます。 ターンオフを遅くするには、より高いゲート抵抗が必要です。 ただし、高効率と低EMIを同時に達成するには、デバイスのドレイン-ソース間に小型のRCスナバを使用することをお勧めします。

詳細については、こちらの記事をご参照ください。