実際、SiC デバイスの Eas 能力はダイのサイズに依存します。 しかし、実際のアプリケーションでは、より重要なのは、落雷や AC ライン上のその他の過大ストレスイベント中に発生する可能性がある、低エネルギー雪崩の高ピーク電流を処理するデバイスの能力です。 この分野では、オンセミの SiC カスコード JFET が優れています。

これは、JFET がアクティブ モードになることでアバランシェを処理するメカニズムがあるためです。 非常に高いアバランシェ電流密度は、デバイスのパラメーターや静電容量を変更することなく、繰り返しモードで安全に処理でき、ゲート酸化物が影響を受ける可能性がある従来の SiC MOSFET よりもはるかに優れています。