オンセミのSiCカスコード JFETは、電力出力を高めるために並列で使用されるのが一般的です。 SiCカスコード JFETの性能は、SiC JFET によって支配されます。 これにより、スイッチング速度が制御され、温度によって Vth が低下せず、Rdson の強い正の温度係数を持つデバイスが提供されます。 これらの特性により、デバイスは非常に効果的に並列接続され、低電圧 MOSFET の Vth などの変動に対する感度が低くなります。