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Intel:IBIS を用いた基板シミュレーションでは "at Pin" と "at Die" の観測ポイントがありますがどちらの波形を観測すれば良いのでしょうか?

シミュレーション ボード

カテゴリ:シミュレーション
ツール:-
デバイス:-


"at Pin" はデバイスのピンを観測した時の波形、"at Die" はデバイスのダイ(具体的には IO バッファー)を観測した時の波形です。
実際デバイスが波形として認識するのは、at Die の波形になります。

この at Die での波形が綺麗に成形されており、デバイスの IO 特性や、IO プロトコルの規格を満たしていれば実際のデバイスで正常に波形を認識できていると判断できます。

しかし基板シミュレーションで at Die の波形が綺麗でも、実際のデバイスで at Die のポイントの波形を実測することはできません。
実際のデバイスで実測出来るポイントはピンの近傍なので、基板シミュレーションの at Pin の波形と比較する必要があります。

つまり、
 デバイスのピンの近傍で実測した波形 と 基板シミュレーションの at Pin の波形 が近似している
  => 基板シミュレーションで at Die の波形が、実デバイスのダイ(IO バッファー)における波形と判断できる
と考えられます。
このため at Pin の波形に段や反射が見られても、at Die の波形が綺麗であれば問題なしと判断できます。

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