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イベントの特徴
SiC FETを正しく設計、測定する方法
高効率・高電力密度・システムの簡素化が市場から求められています。これらの市場要求に対してSiC半導体は非常に有用な製品です。Qorvo社 SiC FET(旧United SiC社)製品の効果を最大限に発揮するために、正しく設計、測定する方法を紹介します。
本オンデマンドセミナーは、以前に開催したセミナーの中でも、特にSiC半導体で設計するにあたって必要な情報が盛り込まれているものになります。SiC半導体を検討しているお客様には有益なセミナーとなっていると思いますので、ぜひこの機会にご参加ください。
セミナーの内容は、「アジェンダ」をご参照ください。
【開催:2/13~3/29】オンデマンド動画ですので、期間中お時間のある時に、ぜひご視聴ください。皆様のご参加をお待ちしています!
注意点:本オンデマンド動画は、過去のセミナーをオンデマンド形式にしたものになるため、旧United SiC社の社名、ロゴなどが使用されています。現在 Qorvo社にてSiC製品の開発・製造をしております。
こんな人にオススメです!
・パワー半導体をシリコンからSiCへの置き換えを検討している方
・これからパワー半導体にSiCの使用を検討する方
・以前 SiC検討の際、課題が発生してしまった方
日程・お申し込み
日程 | 時間 | 会場 | 定員 | お申し込み |
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2024/02/13(火) ~ 2024/03/29(金) |
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3/29までの期間中、ご自分のPCでいつでもご視聴いただけます(お申込み開始:2/13~) |
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受付終了
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アジェンダ
時間 | 内容 |
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約30分 |
SiCFETのEMIとスイッチング損失の両方を最小限に抑える方法 1.高速SiCデバイスを使ったときのターンオフVDSスパイク |
約30分 |
SiCを正しく測定するためには 1.実験で評価すべき代表特性 |
主催・運営
マクニカ アルティマカンパニー
注意事項
・競合メーカー、代理店のご参加はお断りする可能性があります。何卒ご了承ください