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イベントの特徴

SiC MOSFETを導入できる!設計時の勘どころが分かる!

「シリコンのMOSFETを使用しているが、なかなか効率が上がらない」「もっと小型化したい」といった要望がある中、現在、パワー半導体で注目されているシリコンカーバイド SiC製品。
その中で、SiC MOSFETを使用したい、設計したいとき、
「シリコン MOSFETよりも大きなゲート電圧が必要?」
「マイナスのゲート電圧は必要なの?」
といった様々な疑問が生じると思います。
そのような疑問に寄り添って、SiC MOSFETのゲートドライブ回路を設計するうえでの注意点をまとめました。
シミュレーション結果ももちいて、分かりやすく解説します。ぜひご覧ください。

こんな人にオススメです!

・パワー半導体を使用・検討されているお客様全般
・自社製品の効率向上や小型化を検討されるお客様全般
・先々の検討のために、SiCの基礎を学習したいお客様全般
・SiCの検討に障壁を感じられているお客様全般

日程・お申し込み

日程 時間 会場 定員 お申し込み
2023/06/08(木)

2023/07/07(金)
  • 約27分

2023年7月7日まで、ご自身のデスク上で受講可能です!

  • -
受付終了

アジェンダ

時間 内容
約3分

SiCの市況

どの分野にSiCが使われているのか、今後の成長性の紹介

約3分

SiC MOSFET と SJ MOSFET・IGBTとの違い

シリコンのスイッチとの比較をしながらSiC MOSFETに関する基礎知識を説明

約14分

SiC MOSFETを駆動するゲートドライブ回路の注意点

マイナス電圧の必要性やセルフターンオン現象の対策を紹介

約5分

オンセミ社 ラインアップ紹介

会社概要、製品ラインアップ(SiCダイオード、SiCMOSFET、SiC MOSFET向けゲートドライブ)を紹介

注意事項

以下、必ず確認してください。
・競合の方、または半導体メーカーの方、個人の方のご参加は、お断りする場合がございます。何卒ご了承ください。
・開催当日は弊社オフィスにご入場いただけません。ご自身のPCからご受講ください。

お問い合わせ

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