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イベントの特徴
SiC MOSFETを導入できる!設計時の勘どころが分かる!
「シリコンのMOSFETを使用しているが、なかなか効率が上がらない」「もっと小型化したい」といった要望がある中、現在、パワー半導体で注目されているシリコンカーバイド SiC製品。
その中で、SiC MOSFETを使用したい、設計したいとき、
「シリコン MOSFETよりも大きなゲート電圧が必要?」
「マイナスのゲート電圧は必要なの?」
といった様々な疑問が生じると思います。
そのような疑問に寄り添って、SiC MOSFETのゲートドライブ回路を設計するうえでの注意点をまとめました。
シミュレーション結果ももちいて、分かりやすく解説します。ぜひご覧ください。
こんな人にオススメです!
・パワー半導体を使用・検討されているお客様全般
・自社製品の効率向上や小型化を検討されるお客様全般
・先々の検討のために、SiCの基礎を学習したいお客様全般
・SiCの検討に障壁を感じられているお客様全般
日程・お申し込み
日程 | 時間 | 会場 | 定員 | お申し込み |
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2023/06/08(木) ~ 2023/07/07(金) |
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2023年7月7日まで、ご自身のデスク上で受講可能です! |
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受付終了
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アジェンダ
時間 | 内容 |
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約3分 |
SiCの市況 どの分野にSiCが使われているのか、今後の成長性の紹介 |
約3分 |
SiC MOSFET と SJ MOSFET・IGBTとの違い シリコンのスイッチとの比較をしながらSiC MOSFETに関する基礎知識を説明 |
約14分 |
SiC MOSFETを駆動するゲートドライブ回路の注意点 マイナス電圧の必要性やセルフターンオン現象の対策を紹介 |
約5分 |
オンセミ社 ラインアップ紹介 会社概要、製品ラインアップ(SiCダイオード、SiCMOSFET、SiC MOSFET向けゲートドライブ)を紹介 |
注意事項
以下、必ず確認してください。
・競合の方、または半導体メーカーの方、個人の方のご参加は、お断りする場合がございます。何卒ご了承ください。
・開催当日は弊社オフィスにご入場いただけません。ご自身のPCからご受講ください。