「シリコンのMOSFETを使用しているが、なかなか効率が上がらない」「もっと小型化したい」といった要望がある中、現在、パワー半導体で注目されているシリコンカーバイド SiC製品。
その中で、SiC MOSFETを使用したい、設計したいとき、
「シリコン MOSFETよりも大きなゲート電圧が必要？」
「マイナスのゲート電圧は必要なの？」
といった様々な疑問が生じると思います。
そのような疑問に寄り添って、SiC MOSFETのゲートドライブ回路を設計するうえでの注意点をまとめました。
シミュレーション結果ももちいて、分かりやすく解説します。ぜひご覧ください。