フォトカプラー互換絶縁型ゲートドライバ－「Si826x」シリーズ - Skyworks

フォトカプラーと互換性を持った絶縁型ゲートドライバー「Si826x」の製品紹介ページです。

製品概要

「Si826x」は、インバーターやモーター制御に用いられるパワーMOS FETやIGBT駆動に最適なゲートドライバー製品です。

一般的な半導体プロセスで使われるシリコン酸化膜による容量絶縁構造を用い、UL1577に基づき最大5.0 kVまでの絶縁耐圧に対応しています。より高性能で、温度と経年による変動を低減し、より厳密な部品間マッチング、および優れたコモンモード除去を実現します。入力回路には独自のLEDエミュレーター回路を内蔵し、少ない駆動電流でも効率的に電流駆動での制御が可能です。さらに遅延時間が短く、ばらつきが少ないため、柔軟な入力回路設計が期待できます。

Si826xは産業機器などのより長い耐用年数を期待される絶縁回路において、高い信頼性を提供します。パッケージオプションとして、SO8・DIP8・SDIP6をご用意しています。

製品特徴

LEDエミュレーター回路を内蔵し、フォトカプラータイプのゲートドライバーに対してピン互換で置き換え可
ピーク出力電流：0.6A or 4.0A
広いVDD範囲：5V~30V
ヒステリシス付きUVLOオプション：5,8,12V
AEC-Q100試験準拠（別途、Automotive品も取り扱いあり）
温度に対する劣化が少ない容量絶縁方式を用いており、経年劣化が少ない
動作温度範囲：　-40℃～125℃

製品ラインナップ

すべて -40℃~125℃ 温度範囲対応に対応しています。

品番	出力電流	UVLO 閾値電圧	絶縁耐圧	パッケージ
Si8261AAC-C-IS	0.6 A	5 V	3.75 kVrms	SOIC-8
Si8261BAC-C-IS	4.0 A
Si8261AAC-C-IP	0.6 A			DIP8/GW
Si8261BAC-C-IP	4.0 A
Si8261AAD-C-IS	0.6 A		5.0 kVrms	SDIP6
Si8261BAD-C-IS	4.0 A
Si8261ABC-C-IS	0.6 A	8 V	3.75 kVrms	SOIC-8
Si8261BBC-C-IS	4.0 A
Si8261ABC-C-IP	0.6 A			DIP8/GW
Si8261BBC-C-IP	4.0 A
Si8261ABD-C-IS	0.6 A		5.0 kVrms	SDIP6
Si8261BBD-C-IS	4.0 A
Si8261ACC-C-IS	0.6 A	12 V	3.75 kVrms	SOIC-8
Si8261BCC-C-IS	4.0 A
Si8261ACC-C-IP	0.6 A			DIP8/GW
Si8261BCC-C-IP	4.0 A
Si8261ACD-C-IS	0.6 A		5.0 kVrms	SDIP6
Si8261BCD-C-IS	4.0 A

　
1. JEDEC規格260℃のピークはんだリフロー温度対応でRoHSに準拠したパッケージ
2. AEC-Q100 認証済み
3. リール品の場合は品番の末尾に”R”が付きます（例：Si8261AAC-C-ISR）
4. 製品仕様・詳細は以下をご参照の上、ご確認ください。

https://www.skyworksinc.com/-/media/Skyworks/SL/documents/public/data-sheets/Si826x.pdf

対象アプリケーション

一般的にLEDを用いたフォトカプラでは高温環境下において伝搬遅延の特性が悪化する傾向があります。

LEDエミュレーターを用いたデジタルアイソレーターであるSi826xではフォトカプラーと同じ電流で駆動できるゲートドライバーでありながら、常温から高温環境下でも安定した伝搬遅延特性を提供できます。

高温環境下や長期間の連続動作といった厳しい環境下での利用が想定される産業システムに最適なソリューションとなっています。