【新製品情報】SiT5376/SiT5377 を発表 (Elite RF™) -

SiT5376/SiT5377 を発表 (Elite RF™)

MEMS発振器市場のリーディングカンパニーであるSiTime（サイタイム）は、新たな高精度タイミングプラットフォーム “Elite RF™” を発表しました。

SiTimeの生み出した“Elite RF ファミリー” は、いわゆるTCXO（温度制御型MEMS発振器）ですが、まったく新しいクラスの MEMS ベースのTCXO といえます。

ターゲットアプリケーション

ターゲットアプリケーションは、スモールセルのインフラストラクチャー無線、リモート無線ユニット（RRU）、

マイクロ波バックホール、衛星通信機器などが、SiT5376/SiT5377の採用に適したアプリケーションです。

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OCXOの置換も可能

これまでは、５G および衛星通信無線関連のアプリケーションには OCXO（恒温槽制御型発振器）が主要なクロックとして採用されることが多くのケースで見られました。

OCXO は、高度な同期無線のクロックに必要な、温度変化に対する安定性があります。

しかし、過酷な環境下での信頼性は低く、過剰な電力とスペースを消費するのも事実です。

RF対応クロックを生成するために、外付けのジッタークリーナーやVCXOなどを必要とするケースも多々見受けられます。

SiT5376/SiT5377 では、デジタル制御も可能で、そんな悩みをワンチップで解決可能です。

IEEE 1588v2 のタイミング同期プロトコルで規定された厳しい性能要件も満たしています。

特長

“Elite RF ファミリー”であるSiT5376/SiT5377の特長は、以下となります。

• 1 ～ 220 MHz 任意の周波数出力をサポート
• 温度変化に対して±100 ppb の高い安定性
• 温度勾配(df/dT)に対して±0.9 ppb/°C の高い安定性
• ±0.05 ppt 分解能の±400 ppm デジタル制御
• 100 fs の積分位相ジッター (19.2 MHz, 12 kHz to 20 MHz)
• エージングは 0.3 ppb/日
• 消費電力は 1.8V で 144 mW
• 5.0 mm x 3.5 mm のセラミックパッケージを採用

主要スペック

製品シリーズ	SiT5376（Elite RF）	SiT5377（Elite RF）
種類	TCXO（温度補償型MEMS発振器）	TCXO（温度補償型MEMS発振器）
周波数範囲	1 to 60 MHｚ	60 to 220 MHz
周波数安定性	±0.1, ±0.2, ±0.25 ppm	±0.1, ±0.2, ±0.25 ppm
Phase Jitter（rms）	100 fs	110 fs
出力形式	LVCMOS, Clipped Sinewave	LVCMOS
動作温度範囲	-20 to 70, -40 to +85, -40 to +105（℃）	-20 to 70, -40 to +85, -40 to +105 （℃）
Pull Range	±3.125, ±6.25, ±10, ±12.5, ±25, ±50, ±100, ±200, ±400	±3.125, ±6.25, ±10, ±12.5, ±25, ±50, ±100, ±200, ±400
電源電圧（V）	1.8, 2.5, 2.8, 3.0, 3.3	1.8, 2.5, 2.8, 3.0, 3.3
パッケージ	5.0 x 3.5 10-pin	5.0 x 3.5 10-pin