製品概要
Qorvoは、ダイレベルおよびパッケージソリューションの両方で、さまざまなレベルの電力、電圧および周波数定格を備えた窒化ガリウム (GaN) ディスクリートトランジスター製品の幅広いポートフォリオを提供しています。Qorvoの製品は、GaNの高性能に加えて、設計と製造を迅速化する業界標準のパッケージの利便性を提供し、業界をリードする信頼性に支えられています。
製品の主な特長
- 高効率と電力密度
- 優れた利得
- 広い帯域幅で動作する耐久性と能力
- 従来の業界標準を上回る信頼性
- GaN技術のフロントランナーとしての設計ノウハウ
製品ラインアップ
GaN HEMT製品ラインアップ、GaN HEMTダイで構成されたパワーアンプ製品ラインアップの一部を掲載しています。GaN HEMT製品の全ラインアップ、詳細の製品仕様などをご覧になりたい方は、以下のメーカーページをご参照ください。また、必要なスペックを教えていただければ、弊社より提案も可能ですので、その際は、ぜひお問い合わせください。
Qorvo GaN HEMT製品一覧ページ
GaN HEMT製品ラインアップ
| 型番 | データシート | 概要 | Gain [dB] | Psat[dBm] | PAE[%] |
| QPD0030 | DC - 5GHz, 45W, 48V GaN RF パワートランジスター | 22.3 | 46.9 | 71.5 | |
| QPD0050 | DC - 3.6GHz, 75W, 48V GaN RF パワートランジスター | 22.5 | 48.7 | 80 | |
| QPD0060 | DC - 3.6GHz, 90W, 48V GaN RF パワートランジスター | 25 | 49.5 | 73 | |
| QPD1003 | 1.2 - 1.4GHz, 500W, 50V, GaN RF IMFET | 19.9 | 57.3 | 66.7 | |
| QPD1009 | DC - 4GHz, 15W, 50V GaN RF トランジスター | 24 | 42.3 | 72 | |
| QPD1015 | DC - 3.7GHz, 65W, 50V GaN RF パワートランジスター | 20 | 48.5 | 74 | |
| QPD1016 | DC - 1.7GHz, 500W, 50V GaN RF トランジスター | 23.9 | 58.3 | 77.4 | |
| QPD1025L | 0.96 - 1.215GHz, 1800W, 65V GaN RF 入力整合トランジスター | 22.5 | 62.7 | 77.2 |
GaN HEMTが搭載されたモジュールラインアップ
対象アプリケーション
- 軍用および民間レーダー
- 業務用および軍用無線通信
- 試験計測器
- 広帯域または狭帯域増幅器
- ジャマー装置
- ベースステーション：ベーストランシーバーステーション、リピーター、Pico Cell、マクロセルネットワーク
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