製品概要
Qorvoは、最先端の超低ノイズ0.15μm pHEMT (Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) および 0.25μm E-pHEMTプロセスを使用して、多種多様なディスクリートトランジスターコンポーネントを提供しています。これらのディスクリートデバイスは、低ノイズ増幅器 (LNA) の回路を設計する際の完全な制御を可能にします。さまざまなディスクリートFETは、NF (min) が0.15dBと低く、22GHzまで使用可能です。マッチドペアトランジスターも利用可能で、バランスのとれた LNA設計に理想的です。
製品の主な特長
- 超ローノイズ：最低 0.15dB NF (min)
- ダイ (Die) 形式またはパッケージ形式で提供
製品ラインアップ
GaAs pHEMT製品ラインアップ、GaAs pHEMTダイで構成されたLNA製品ラインアップ一覧です。
詳細の製品仕様などをご覧になりたい方は、以下のメーカーページをご参照ください。
Qorvo GaAs pHEMT製品一覧ページ
GaAs pHEMT製品ラインアップ
| 型番 | データシート | 概要 | Gain [dB] | P1dB[dBm] | NF[dB] | PAE[%] |
| QPD2018D | DC - 20GHz, 180um ディスクリート GaAs pHEMT ダイ | 14 | 22 | 1 | 55 | |
| QPD2025D | DC - 20GHz, 250um ディスクリート GaAs pHEMT ダイ | 14 | 24 | 0.9 | 58 | |
| QPD2040D | DC - 20GHz, 400um ディスクリート GaAs pHEMT ダイ | 13 | 26 | 1.1 | 55 | |
| QPD2060D | DC - 20GHz, 600um ディスクリート GaAs pHEMT ダイ | 12 | 28 | 1.14 | 55 | |
| QPD2080D | DC - 20GHz, 800um ディスクリート GaAs pHEMT ダイ | 11.5 | 29.5 | 1 | 56 | |
| QPD2120D | DC - 20GHz, 1200um ディスクリート GaAs pHEMT ダイ | 11 | 31 | 1 | 57 | |
| QPD2160D | DC - 20GHz, 1600um ディスクリート GaAs pHEMT ダイ | 10.4 | 32.5 | 1 | 63 |
GaAs pHEMTダイで構成された LNA 製品ラインアップ
対象アプリケーション
- 基地局
- 防衛通信
- ポイントツーポイント (PtP) 無線
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