製品概要

Qorvoは、最先端の超低ノイズ0.15μm pHEMT (Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) および 0.25μm E-pHEMTプロセスを使用して、多種多様なディスクリートトランジスターコンポーネントを提供しています。これらのディスクリートデバイスは、低ノイズ増幅器 (LNA) の回路を設計する際の完全な制御を可能にします。さまざまなディスクリートFETは、NF (min) が0.15dBと低く、22GHzまで使用可能です。マッチドペアトランジスターも利用可能で、バランスのとれた LNA設計に理想的です。

製品の主な特長

• 超ローノイズ：最低 0.15dB NF (min)
• ダイ (Die) 形式またはパッケージ形式で提供

製品ラインアップ

GaAs pHEMT製品ラインアップ、GaAs pHEMTダイで構成されたLNA製品ラインアップ一覧です。
詳細の製品仕様などをご覧になりたい方は、以下のメーカーページをご参照ください。
Qorvo GaAs pHEMT製品一覧ページ

対象アプリケーション

• 基地局
• 防衛通信
• ポイントツーポイント (PtP) 無線

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Qorvo社製品は、半導体・電子部品の通販サイトであるMacnica-Mouser（マクニカ-マウザー）で購入可能です。
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お問い合わせ / お見積もり

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