オンライン上の設計ツールにより、最適なSiC FETを容易に決めることができます。

シリコンカーバイド(SiC)パワー半導体の大手メーカーであるUnitedSiCは、さまざまなパワーアプリケーションやトポロジーに対応するデバイス選定や性能比較を容易に行えるFET-Jet Calculatorを発表しました。この新しいツールにより、ユーザーは自信を持って迅速に設計を行うことができます。

 

電力設計に最適なUnitedSiCデバイスを選定するために、アプリケーションとトポロジーを選択し、設計パラメーターの詳細を入力します。本ツールはスイッチの電流、効率、および損失を自動的に計算し、導通損失、ターンオン時の損失、およびターンオフ時の損失をそれらの値ともに寄与度を表示します。また、使用温度およびヒートシンクのパラメーターが入力として含まれており、予想されるジャンクション温度を示します。

 

ユーザは、インダクタンスとスイッチング周波数の値を変化させることで、様々なトポロジーにおける損失の変化を調べることができます。さらに、単一デバイスまたはデバイスの並列化を選択することができ、さまざまな定格電流の総合的な性能を表示することができます。

 

選択した条件やトポロジーに対して電圧定格が不十分な場合など、選択が適切でない場合、ツールは警告を発し、ユーザーが実現可能なソリューションに迅速に到達できるようにします。

 

TO-220、TO-247、TO-247/4L、DFN8x8パッケージを含む、すべてのUnitedSiC FETおよびショットキーダイオード、および最近発売されたGen 4 750Vデバイスをテーブルから選択することができます。

 

UnitedSiCのエンジニアリング担当副社長であるAnup Bhallaは、次のようにコメントしています。「適切な電力トポロジーで適切なデバイスを選択することが、SiCへの切り替えを検討している電力設計者にとって障壁となるべきではありません。 これが、FET-Jet Calculatorを構築した理由です。 SiCを初めて使用するエンジニア、または進化する設計に適合する最適なSiCデバイスを探しているエンジニアにとって、このツールは、さまざまな電力トポロジでUnitedSiC FETを評価するための迅速かつ簡単な方法であり、無駄な時間を回避することで研究開発をスピードアップし、不適切なデバイスでの長時間のシミュレーションを回避することができます。 数回クリックするだけで、最適なデザインにたどり着くことができます。」

UnitedSiC FET-Jet CalculatorTMは無料で使用でき、登録は不要で、こちらのURLからご使用いただくことができます。

https://www.qorvo.com/design-hub/design-tools/interactive/fet-jet-calculator

 

以上

メディアからのお問い合わせ先

Megan King, Account Director Publitek Marketing Communications

Tel: +44 7970167215

Email: megan.king@publitek.com

 

UnitedSiCとは

UnitedSiCは、電気自動車(EV)充電器、DC/DCコンバーター、トラクションドライブ、およびテレコム/サーバー電源、可変速モータードライブとソーラーインバーター向けに、業界最高効率とパフォーマンスを提供する革新的なSiC FETとダイオードなどのパワー半導体を開発しています。

 

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