業界初※ の 2200V PowiGaN™ 技術により、AIデータセンター、EV、太陽光発電および HVDC（高電圧直流送電）インフラ向けに、より高い電力密度、優れた効率、安全かつシンプルなシステムアーキテクチャーを実現

2026年8月5日、エネルギー効率に優れた電力変換向け高耐圧集積回路のリーダーである Power Integrations は、同社のPowiGaN™ 技術が最大 2200V の耐圧性能を達成したと発表しました。この耐圧は、現在商用化されている他の GaN 技術の電圧性能を大幅に上回るものです。この画期的な成果により、PowiGaN は、より高い電力密度を求めて高電圧バスアーキテクチャーへの移行が進む高電圧データセンター、電気自動車 (EV)、再生可能エネルギー、HVDC（高電圧直流送電）インフラ向けの有力な技術ソリューションとなります。

Power Integrations の社長兼 CEO である Jennifer Lloyd 氏は次のように述べています。
「2200V 対応の PowiGaN 技術は、新たな高電圧電力システムに対して十分な電圧マージンを提供すると同時に、電力密度を最大化するために必要な高いスイッチング周波数を実現します。適用先としては、業界ロードマップが 1500V 配電アーキテクチャーを示している次世代 AIデータセンターや、出力電圧のさらなる高電圧化（48V 系補機電源など）が進む将来の EV向けバッテリーシステムおよび補機電源システムが挙げられます。この画期的な成果により、GaN の適用範囲は従来 SiC が担ってきた電圧領域へと拡大し、太陽光発電、HVDC、高度な産業用電力変換システム向けに魅力的な高周波ソリューションを提供します。」

GaN パワースイッチは、高効率かつ高周波スイッチングが可能であることから、幅広い電力変換用途においてシリコントランジスターを着実に置き換えつつあります。しかし、GaN 技術もデータセンター、EV、再生可能エネルギー、HVDC インフラで求められる高電圧化および高電力密度化のロードマップに対応する必要があります。代替手段としては、より低いスイッチング周波数の SiC（シリコンカーバイド）デバイスや、複数の低耐圧 GaNデバイスを積層接続した構成がありますが、これらは電力密度、システムの複雑さ、信頼性の面で妥協を伴います。

1700V 定格の PowiGaN IC は、すでにシングルステージ構成のデータセンター向け補助電源アプリケーションへの採用が進んでいます。また、1250V 定格の PowiGaN は、800VDC データセンターの主電力経路において、積層デバイス構成よりもシンプルな代替ソリューションを提供しています。今回 2200V PowiGaN 技術が実現したことで、さらに高電圧なバスアーキテクチャーへの対応が可能となり、データセンターだけでなく、EV、太陽光発電用インバータ、蓄電池エネルギー貯蔵システム (BESS) における将来の高電圧化にも対応可能な電源設計を実現します。

Yole Group の化合物半導体担当テクノロジー・市場アナリストである Roy Dagher 博士は次のように述べています。
「AIデータセンターにおける 800VDC バスアーキテクチャーへの移行は、パワー半導体市場の構造を変えつつあります。これまで GaN は耐圧の制約から主電力経路への適用が難しく、その領域は SiC が担ってきました。しかし 2200V 定格の実現によって状況は変わります。シングルステージトポロジーに十分な電圧マージンを提供できるようになり、今後普及が見込まれる 1500V クラスのデータセンターおよび EV向け設計にも対応可能になります。当社はパワー GaNデバイス市場が 2031年までに 35億ドル規模へ成長すると予測しており、高耐圧用途への GaN 展開はその成長を支える重要な要素になると考えています。」
※Power Integrations 社調べ

詳細は、Power Integrations 社のWebサイトをご覧ください。

設計資料関連

本プレスリリースにある資料は、以下のメーカーサイトからすぐにダウンロードできます。

• ホワイトペーパー：800VDC AIデータセンターアーキテクチャー向け 1250V / 1700V PowiGaN
• PowiGaN™ 技術

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