1250V および 1700V の PowiGaN が 800VDC AI データ センターに必要な効率と電力密度を実現

Power Integrations は、高電圧 PowiGaN™ 技術を活用し、800V データ センターバスアーキテクチャーの初期開発を支援しています。 1250V および 1700V GaN スイッチを量産する唯一のサプライヤーである Power Integrations は、800VDC アーキテクチャーおよびメガワット級ラックへの移行に向けて、NVIDIA と共同開発をおこなっています。

この取り組みの詳細は、以下の技術資料でご確認いただけます。
2025 OCP グローバル サミットで発表された Power Integrations のホワイト ペーパーをダウンロードしてください。このホワイト ペーパーでは、1250V および 1700V PowiGaN HEMT が、現代の AI データ センターで必要とされる効率、電力密度および信頼性を実現する方法を強調しています。積み上げ 650V GaN FET および 1200V SiC デバイスと比較して、単一の 1250V PowiGaN スイッチの方が明らかに優れたパフォーマンスと簡素化された設計を実現しています。

■ PowiGaN の強み
　・簡素化されたゲートドライバー回路によって、より十分な短絡マージンとより安全なターンオフ動作を実現
　・従来の FET ベースのスイッチングで発生していたような効率の低下がない、より高いスイッチング周波数
　・1未満の FIT は過酷な環境下での信頼性を実証
　・銅の使用量削減により、ラック スペースを最適化

高速充電器、EV およびデータセンターで使用されている 1億7500万個を超える PowiGaN スイッチとともに、Power Integrations は、高電圧 GaN の革新をリードしていきます。InnoMux2-EP スイッチング電源用 IC は、800VDC データセンターにおける補助電源向けに独自のソリューションを提供しています。内蔵の 1700V PowiGaN スイッチは 1000VDC 入力電圧に対応しつつ、その SR ZVS 動作は、液体冷却でファンなしの 800VDC アーキテクチャーの12V システムにおいて、90.3% を超える効率を実現しています。

製品資料関連

本製品のデータシート、ホワイトペーパーは、以下のメーカーサイトからすぐにダウンロードできます。

• PowiGaN ベース製品ページ
• InnoMux2-EP 製品

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