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Innoscience Technology Co., Ltd.
イノサイエンス
イノサイエンステクノロジー（本社：中国蘇州）は、8インチで製造するGaN-on-Si専業の垂直統合型製造会社です。低耐圧～高耐圧までの幅広いGaN商品をラインアップしており、ウェハー、ディスクリートデバイス（ノーマリーオフ）、統合型GaN IC、ドライバーICを提供しています。高速スイッチング、高熱伝導率、低オン抵抗の特長を生かし、システムの高性能、小型軽量化に貢献します。
主な製品
GaN HEMT
単品でノーマリーオフを実現し、低耐圧～高耐圧まで幅広い製品ラインアップを展開しており、パッケージについてはチップスケール型や面実装型、上面放熱型をご用意しております。
主な製品
- 低耐圧GaN
- 中耐圧GaN
- 高耐圧GaN
- VGaN（双方向GaN）
GaN IC
保護機能（Gate ClampやDESAT等）を内蔵した製品や、ゲートドライバー内蔵の製品をラインアップ。またパッケージについては、面実装型、挿入型、上面放熱型をご用意しております。
主な製品
- 保護機能内蔵GaN IC
- ゲートドライバー内蔵GaN IC
- ハーフブリッジGaN IC
ドライバーIC
ゲート電圧が低いGaN HEMT専用のゲートドライバーICです。
主な製品
- シングルドライバー
- ハーフブリッジドライバー
ウェハー
ウェハーでのご提供も可能ですので、お客様ご自身のブランドとして製品化いただくことができます。
主な製品
- 低耐圧から高耐圧のGaNHEMT製品
メーカー基本情報
| 会社名 | イノサイエンス(Innoscience Technology Co., Ltd.) |
|---|---|
| 本社 所在地 |
98 Xinli Road, Lili Town, Wujiang District, Suzhou City, China |
| 設立 | 2015年12月 |
| 従業員数 | 1,300名 |
| 会社概要 | イノサイエンステクノロジー（本社：蘇州）は、8インチで製造するGaN-on-Si専業の垂直統合型製造会社です。低耐圧～高耐圧までの幅広いGaN商品をラインアップしており、ウェハー、ディスクリートデバイス（ノーマリーオフ）、統合型GaN IC、ドライバーICを提供しています。高速スイッチング、高熱伝導率、低オン抵抗の特長を生かし、システムの高性能、小型軽量化に貢献します。 |
| Webサイト | https://www.innoscience.com/ |
お問い合わせ先
マクニカ クラビス カンパニー
〒222-8561 横浜市港北区新横浜1-6-3 マクニカ第1ビル
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