産業/民生向けSiC(シリコンカーバイド) MOSFET＆Diode - Infineon

Infineon社SiC：シリコンカーバイド、パワー半導体製品概要

Infineon社は産業・民生向けのSiC MOSFET製品ラインナップとして、2000V/1700V/1200V/650V耐圧をディスクリートおよびモジュール、SiCダイオードとして、1200V/650V耐圧をディスクリートで提供しています。
SiC MOSFETは、Infineon社独自のセル構成(片側トレンチ構造)を採用し、結晶欠陥が少ない面同士を合わせたセルを構成することで、ゲート酸化膜の信頼性を向上させています。さらに、ゲート酸化膜をシリコンに近付けることによって、シリコンMOSFETと同等レベルの高いゲート閾値で駆動することができます。また、ボディーダイオード特性に関しては、Infineon社独自の対策によりVFの劣化が起きない順方向電流値をデータシートに明記しています。

SiC製品特徴

ディスクリートからモジュールまで、幅広いパッケージラインナップに対応
650Vから2000Vまでの幅広い耐圧幅にてお客様の用途に合わせたご提案が可能
トレンチ構造のため、プレーナー構造と比較して素子抵抗の低減が可能
VGS(th)が高い(Typ 4.5V以上)ため、回路仕様によってはマイナスバイアスを引かずに駆動可能
ボディーダイオードのVF劣化の対策をおこなっているため、VFの劣化が起きない順方向電流値をデータシートに明記
Qgs>Qgdにすることで、ノイズやdv/dtによるゲート誤動作の可能性を低減

Infineon社　SiC製品とは

シリコンカーバイド（SiC）は、これまでにないレベルの効率性と信頼性を実現するために、設計者様に新たな柔軟性をもたらします。
Infineon社では、幅広いパッケージラインナップ及び耐圧幅をご用意しており、お客様のご設計要求に柔軟に対応しています。また、トレンチ構造により従来のプレーナー構造と比較して素子抵抗が低減されており、高いVgs(th)及びQgs>Qgdによりお客様の制御が容易となります。さらに、ボディーダイオードのVF劣化の対策として、内部の層を調整することで欠陥拡大の対策をおこなっているため、データシート記載の電流値で使用いただければ、VFの劣化を防ぐことができます。
また、SiCの生産キャパシティー増強に向けて、Infineon社では積極的に自社工場に対して投資をおこなっております。

製品ラインナップ

型名	VDSS[V]	Package	ID@TC=25°C[A]※1
IMZA65R107M1H	650	TO247-4(Discrete)	20
IMZA65R083M1H	650	TO247-4(Discrete)	26
IMZA65R072M1H	650	TO247-4(Discrete)	28
IMZA65R057M1H	650	TO247-4(Discrete)	35
IMZA65R048M1H	650	TO247-4(Discrete)	39
IMZA65R039M1H	650	TO247-4(Discrete)	50
IMZA65R030M1H	650	TO247-4(Discrete)	53
IMZA65R027M1H	650	TO247-4(Discrete)	59
IMZA120R040M1H	1200	TO247-4(Discrete)	55
IMZA120R020M1H	1200	TO247-4(Discrete)	98
IMZA120R014M1H	1200	TO247-4(Discrete)	127
IMZA120R007M1H	1200	TO247-4(Discrete)	225
IMZ120R350M1H	1200	TO247-4(Discrete)	4.7
IMZ120R220M1H	1200	TO247-4(Discrete)	13
IMZ120R140M1H	1200	TO247-4(Discrete)	19
IMZ120R090M1H	1200	TO247-4(Discrete)	26
IMZ120R060M1H	1200	TO247-4(Discrete)	36
IMZ120R030M1H	1200	TO247-4(Discrete)	56
IMW65R107M1H	650	TO247-3(Discrete)	20
IMW65R083M1H	650	TO247-3(Discrete)	24
IMW65R072M1H	650	TO247-3(Discrete)	26
IMW65R057M1H	650	TO247-3(Discrete)	35
IMW65R048M1H	650	TO247-3(Discrete)	39
IMW65R039M1H	650	TO247-3(Discrete)	46
IMW65R030M1H	650	TO247-3(Discrete)	58
IMW65R027M1H	650	TO247-3(Discrete)	47
IMW120R350M1H	1200	TO247-3(Discrete)	4.7
IMW120R220M1H	1200	TO247-3(Discrete)	13
IMW120R140M1H	1200	TO247-3(Discrete)	19
IMW120R090M1H	1200	TO247-3(Discrete)	26
IMW120R060M1H	1200	TO247-3(Discrete)	36
IMW120R040M1H	1200	TO247-3(Discrete)	55
IMW120R030M1H	1200	TO247-3(Discrete)	56
IMW120R020M1H	1200	TO247-3(Discrete)	98
IMW120R014M1H	1200	TO247-3(Discrete)	127
IMW120R007M1H	1200	TO247-3(Discrete)	225
IMBG65R260M1H	650	TO263-7(Discrete)	6
IMBG65R163M1H	650	TO263-7(Discrete)	17
IMBG65R107M1H	650	TO263-7(Discrete)	24
IMBG65R083M1H	650	TO263-7(Discrete)	28
IMBG65R072M1H	650	TO263-7(Discrete)	33
IMBG65R057M1H	650	TO263-7(Discrete)	39
IMBG65R048M1H	650	TO263-7(Discrete)	45
IMBG65R039M1H	650	TO263-7(Discrete)	54
IMBG65R030M1H	650	TO263-7(Discrete)	63
IMBG65R022M1H	650	TO263-7(Discrete)	64
IMBG120R350M1H	1200	TO263-7(Discrete)	4.7
IMBG120R220M1H	1200	TO263-7(Discrete)	13
IMBG120R140M1H	1200	TO263-7(Discrete)	18
IMBG120R090M1H	1200	TO263-7(Discrete)	26
IMBG120R060M1H	1200	TO263-7(Discrete)	36
IMBG120R045M1H	1200	TO263-7(Discrete)	47
IMBG120R030M1H	1200	TO263-7(Discrete)	56
IMBF170R650M1	1700	TO263-7(Discrete)	7.4
IMBF170R450M1	1700	TO263-7(Discrete)	9.8
IMBF170R1K0M1	1700	TO263-7(Discrete)	5.2
FS55MR12W1M1H_B11	1200	EasyPACK™(Module)	15
FF6MR12KM1/P	1200	62mm(Module)	250
FF3MR12KM1/P	1200	62mm(Module)	375
FF2MR12W3M1H_B11	1200	EasyPACK™(Module)	400
FF2MR12KM1/P	1200	62mm(Module)	500
F4-45MR12W1M1_B76	1200	EasyPACK™(Module)	25
F4-23MR12W1M1_B76	1200	EasyPACK™(Module)	45
F4-23MR12W1M1_B11	1200	EasyPACK™(Module)	50
F3L8MR12W2M1HP_B11	1200	EasyPACK™(Module)	85
F3L15MR12W2M1_B69	1200	EasyPACK™(Module)	75