GaN 製品概要

GaNは、SiCよりもはるかに高いバンドギャップ（3.4電子ボルト）に、著しく高い電子移動度を持ちます。絶縁破壊電界強度は、シリコン（Si）の10倍、電子移動度は２倍になります。高周波動作において重要な出力電荷およびゲート電荷はSiの1/10、逆回復電荷はほとんどゼロです。

GaNは、新しいトポロジーや電流変調など、新しいアプローチを可能にする最新共振トポロジーに最適な技術です。インフィニオンのGaNソリューションは、市場でもっとも堅牢で高性能なコンセプトである、エンハンスメントモード（eモード）コンセプトに基づいており、高速なターンオンおよびターンオフを実現しています。高い性能と堅牢性に重きを置き、さまざまなアプリケーションの幅広いシステムに大きな付加価値を提供します。

製品特徴

• SMPS におけるクラス最高の効率
• 小型で軽量な設計
• 表面実装パッケージによる GaN スイッチング性能の最適化
• Driver ICとのセットでのご提案

製品ラインナップ

関連情報

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