650V Hybrid CoolSiC™ IGBT - Infineon

製品概要

新たな650V Hybrid CoolSiC™ IGBTは、クラス最高の650V TRENCHSTOP™5 IGBT技術と、共に搭載されたショットキーバリアCoolSiC™ダイオードのユニポーラ構造の主な利点を併せ持つ製品です。IGBTと共に搭載される還流ダイオードとしてショットキーバリアダイオードを使うことにより、IGBTの機能を拡張することができ、Eonや全体スイッチング損失の大幅な低減が可能です。

650V TRENCHSTOP™5 IGBTデザインをHybrid CoolSiC™ IGBTに迅速かつ簡単にアップグレードすることで、スイッチング周波数10kHzごとに効率が0.1%向上します。例えば23kHzのスイッチング速度で動作するハーフブリッジコンバーターの場合、シリコンIGBTをCoolSiC™ Hybrid IGBTに置き換えると、効率が最大0.23％向上する可能性があるということです。

製品特徴

TRENCHSTOP™ 5とCoolSiC™ダイオード技術の組み合わせによる、きわめて低いスイッチング損失
非常に低いON 損失
ハードスイッチングトポロジの業界標準スイッチングIGBT
最高の効率
冷却の簡素化
電力密度の向上
純粋なシリコンデバイスをプラグアンドプレイにより容易に交換
高効率化のために既存設計からのアップグレードが容易
並列化に最適

推奨アプリケーション回路

産業用無停電電源装置（UPS）
産業用スイッチング電源（SMPS）
ソーラーストリングインバーター
エネルギー貯蔵
充電器

製品ラインナップ

Product	Technology	Switching Frequency max [kHz]	Voltage Class max [V]	IC @ 100° max [A]	VCE(sat) [V]	Eon [mJ]	Eoff Hard Switching [mJ]	VF [V]	IF max [A]	Type	Package name
IKW75N65RH5	IGBT TRENCHSTOP™ 5 Silicon Carbide Schottky Diode	100	650	75	1.65	0.36	0.3	1.35	30.7	IGBT + Diode	PG-TO247-3
IKW40N65RH5		100	650	46	1.65	0.16	0.12	1.35	18.5	IGBT + Diode	PG-TO247-3
IKZA75N65SS5		30	650	80	1.65	0.13	0.42	1.35	57	IGBT + Diode	PG-TO247-4
IKZA50N65RH5		100	650	56	1.65	0.2	0.18	1.35	22.8	IGBT + Diode	PG-TO247-4
IKW50N65RH5		100	650	56	1.65	0.23	0.18	1.35	22.8	IGBT + Diode	PG-TO247-3
IKZA40N65RH5		100	650	46	1.65	0.14	0.12	1.35	18.5	IGBT + Diode	PG-TO247-4
IKZA75N65RH5		100	650	75	1.65	0.31	0.3	1.35	30.7	IGBT + Diode	PG-TO247-4
IKW75N65SS5		30	650	80	1.35	0.2	0.42	1.35	57	IGBT + Diode	PG-TO247-3
IKW50N65SS5		30	650	60.5	1.35	0.32	0.55	1.35	38.5	IGBT + Diode	PG-TO247-3
IKZA50N65SS5		30	650	60.5	1.65	0.23	0.52	1.35	38.5	IGBT + Diode	PG-TO247-4