600V CoolMOS™ PFD7　～高電圧スーパージャンクションMOSFET - 次の段階の超高電力密度設計～ - Infineon

製品概要

超高電力密度設計および低電力モーターライブ専用の600Vスーパージャンクション（SJ）テクノロジーにおいて新たな業界標準を打ち立てます。PFD7高電圧NチャネルMOSFETシリーズは、スーパージャンクション技術革新の開拓における20年以上のインフィニオンの経験によって実現されたクラス最高の性能と最先端の使いやすさを兼ね備えています。
また、ボディーダイオードのリカバリー改善により極めて低いQrrを実現しました。その結果、低出力ドライブの効率が向上しただけでなく、ノイズ低減が期待できる製品シリーズになります。堅牢なデバイスとお客様の部品点数の削減を確実なものにします。

製品特徴

・軽負荷時のモーター効率を大幅に改善

・出力レンジ：10 ~ 300W

・非常に優れたFOM(Rds(on) x Eoss)

・低いスイッチングロス

・ファストボディーダイオード内蔵

・2kV耐圧のESD保護ダイオード内蔵

・オン抵抗、パッケージ毎に幅広いラインナップ

・低EMI

IGBTと比較したHV MOSFETを使用する利点

・軽負荷時に高い効率を実現可能

・費用対効果の高いソリューションの提供　(<300W)

MOSFETを使用することで軽負荷時(動作頻度が高い範囲)での損失低減に大きく貢献します。それは、IGBTと比較してMOSFETの方がオン電圧が低いためです。

100WモータードライブにおけるPFD7の優位性

PFD7シリーズは100Wのモーター駆動においてCoolMOS™CE(前世代)と比較して最大2％の高率向上、18°Cの熱改善をもたらします。優れた整流耐性と低EMIを考慮すると、低電力ドライブに最適なソリューションです。

評価ボード

評価ボードリンク

https://www.infineon.com/cms/en/product/evaluation-boards/eval_drive_3ph_pfd7/

製品ラインナップ

600V CoolMOS PFD7 portfolio overview
RDS(on) [mΩ]	TO-220 FullPAK narrow leads	ID[A]	IPAK short leads	ID[A]	DPAK	ID[A]	SOT-223	ID[A]	ThinPAK 5x6	ID[A]
2000					IPD60R2K0PFD7S	3	IPN60R2K0PFD7S	3
1500					IPD60R1K5PFD7S	3.6	IPN60R1K5PFD7S	3.6	IPLK60R1K5PFD7*	TBD
1000			IPS60R1K0PFD7S	4.7	IPD60R1K0PFD7S	4.7	IPN60R1K0PFD7S	4.7	IPLK60R1K0PFD7*	TBD
600			IPS60R600PFD7S	6	IPD60R600PFD7S	6	IPN60R600PFD7S	6	IPLK60R600PFD7*	TBD
360	IPAN60R360PFD7S	10	IPS60R360PFD7S	10	IPD60R360PFD7S	10	IPN60R360PFD7S	10	IPLK60R360PFD7*	TBD
280	IPAN60R280PFD7S	12	IPS60R280PFD7S	12	IPD60R280PFD7S	12
210	IPAN60R210PFD7S	16	IPS60R210PFD7S	16	IPD60R210PFD7S	16
125	IPAN60R125PFD7S	25