次世代電源設計に最適なCoolGaN™ トランジスタ 100 V G3
インフィニオン社のCoolGaN™ トランジスタ 100 V G3ファミリーは、GaN技術を用いた100 Vクラスの高性能トランジスタで、従来のシリコン（Si）トランジスタを凌駕する電力効率とスイッチング性能を提供します。ノーマリーオフのe-modeデバイスで、高電力密度設計が可能です。G3シリーズは PQFN 3mm x 3mmおよびPQFN 3mm x 5mmパッケージのSMDタイプのパッケージを採用し、面積を最小限に抑えながらも優れた熱性能と電気的特性を両立しており、既存Si MOSFETのPQFNパッケージ製品とフットプリントの互換性があります。そのため、レイアウトの変更無しでGaNの恩恵を取り入れることが可能です。本ファミリーは、要求の厳しい高電圧、高電流アプリケーションにおいて信頼性の高い性能を発揮するように設計されているため、エンジニアにとって理想的な選択肢となります。
製品特徴
◆ GaNならではの超高速スイッチング
極めて低いゲート電荷（Qg）により、高速スイッチングを実現。
IGC033S101：Qg = 1.2 nC（@ Vgs = 6 V）
IGB110S101：Qg = 2.0 nC
これにより、スイッチング損失が大幅に低減し、電源効率が向上します。
◆ 逆回復電荷ゼロで損失とノイズを抑制
逆回復によるノイズや損失がないため、高周波動作や高効率同期整流回路に最適です。
◆ 優れたオン抵抗による低損失動作
各製品とも低RDS(on)を実現
IGB110S101：1.1 mΩ typ.
IGC033S101 / IGC033S10S1：2.4 mΩ typ.
これにより導通損失を抑え、電力変換効率の最大化を図ります。
◆高密度設計に適した小型・高放熱パッケージ
IGC033S101 / IGC033S10S1：RQFN 3.3 mm × 3.3 mm
IGB110S101：RQFN 5 mm × 6 mm
すべてボトムサイドクーリングを採用し、熱を効率よく基板へ伝導。放熱設計の自由度が高く、電源の小型化や多層基板への最適化が可能です。
◆ JEDEC認定済みの高信頼性
本ファミリー全製品がJEDEC規格準拠しており、安心して採用できます。たとえばIGC033S101は、−40°C〜+150°Cの動作温度範囲に対応し、信頼性の高いシステム設計をサポートします。
対象アプリケーション
オーディオアンプ ソリューション
72 Vまでの低電力BDC/BLDCモーター
太陽光発電
通信インフラ
製品ラインナップ
| 型名 | Package name | VDS max [V] | RDS (on) typ [mΩ] | ID @25°C max [A] | IDpuls @25°C max [A] | QG [nC] |
| IGC033S101 | PG-VSON-6 | 100 | 2.4 | 75 | 330 | 11 |
| IGC033S10S1 | PG-TSON-6 | 100 | 2.4 | 75 | 330 | 11 |
| IGB110S101 | PG-VSON-4 | 100 | 9.4 | 23 | 97 | 3.4 |