Bourns：サーマルジャンパーチップ（Thermal Jumper Chip：BTJ シリーズ） - Bourns

熱だけ通し、電気は通さない。ホットスポット対策の新しい標準へ。

主要デバイスの温度上昇を抑え、熱設計をもっとシンプルに。Bourns® BTJシリーズは、高熱伝導（AlN 170W/m·K）×完全電気絶縁×低容量を同時に実現する、“熱だけをバイパスする” 新しい放熱デバイスです。

熱は通す。電気は通さない。新しい放熱アプローチ。

電子機器の小型化・高出力化が進むにつれ、「高発熱源から熱を逃がせない」という問題はますます深刻になっています。

従来の熱対策は、
　・ヒートシンク追加
　・基板銅箔の拡大
　・サーマルビアの多層追加
などが主流でしたが、「電気的に接続できない場所は放熱できない」という根本的な制約がありました。

Bourns のサーマルジャンパーチップとは？

サーマルジャンパー (Thermal Jumper) =「TJ」と表記します。

TJ シリーズは、電気絶縁された AlN（窒化アルミニウム）基板を用いた SMD チップ。
発熱源と放熱経路の“間”に置くだけで、電気を通さず熱だけを高速に伝えます。

従来（TJ なし）

高発熱源：120℃
→ 周囲に熱が滞留し、部品寿命に影響がある

TJ 使用時

温度が約 80℃ へ低減
→ 熱が効率よく GND / 銅箔へバイパス。

なぜ TJ はこれほど効率的なのか？（メカニズム）

左図が示す通り、TJ は発熱源 (Heat Source) → Thermal Jumper → Heat Sink / 銅箔へ“電気絶縁を確保しながら、別箇所へ熱を移動させる”

■ TJ の内部構造の特長
　・窒化アルミニウム基板 (170W/m·K)：銅の半分以上、樹脂の 100倍以上の熱伝導。
　・絶縁耐圧 (1.5〜5kVac)：電位差が大きい箇所でも設置可能。
　・低容量 (0.07〜0.26pF)：RF / 高速回路でも悪影響なし。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・SMD サイズ (0603〜2512)

主な特長

高熱伝導 (AlN 170W/m·K)：熱を最短距離でバイパスし、ホットスポットを劇的に低減。
完全電気絶縁：電位が異なる SW ノード・MOSFET・PA 周辺でも安全に配置可能。
超低容量 (0.07–0.26pF)：RF・5G・高速デジタル用途でも波形を乱さない。
多サイズ展開：0508 / 0603 / 0612 / 1206 / 1225 / 2512 用途に合わせて最適サイズを選択。

対象アプリケーション

LED照明（ドライバー IC の熱集中対策）：ドライバー IC から背面スプレッダへ熱のみをバイパスし、光束維持に貢献。
パワーエレクトロニクス (MOSFET / Regulator)：電位差がある場所でも、熱だけ安全に逃がせる。
車載 ECU：ホットスポットを基板全体へ拡散し、信頼性向上。
通信機器・5G (PA/RF)：低容量のため RF 特性そのままに温度ピークを抑制。
バッテリーパック / BMS：セルバランス回路など熱が溜まりやすい箇所の熱経路を最適化。

技術仕様（代表値）

項目	値（代表）
熱伝導率	約 170W/m·K (AlN)
熱抵抗 (R_θ)	4℃/W 〜 20℃/W（サイズによる）
容量	0.07pF 〜 0.26pF
絶縁耐圧	1.5kV_ac 〜 5.0kV_ac(0603 〜 2512)
動作温度	–55℃ 〜 155°℃
サイズ	0508 / 0603 / 0612 / 1206 / 1225 / 2512
MSL	1（標準リフロー対応）
環境	RoHS / Halogen Free

設計ガイド

■ 推奨レイアウト
　・放熱側（GND / 銅箔）を広く確保
　・TJ 近傍にビアアレイ（熱ビア）を配置
　・絶縁距離を確保し、電位差のあるパッド間で使用可能

■ 評価のポイント
　・TJ有無で ΔT 比較（IRカメラ）
　・放熱面積とビア数の最適化
　・RF 用途では容量 (pF) の影響を確認（通常は問題なし）
　・回路変更不可な案件の“最後の一手”